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意法半導體GaN驅(qū)動器集成電流隔離功能 具有卓越的安全性和可靠性
近日,意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動器,新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸,降低了物料清單成本,能夠滿足應(yīng)...
據(jù)了解,此次信越化學工業(yè)與OKI開發(fā)的新技術(shù),可以在特有的基板上噴射鎵系氣體,使晶體生長。信越化學工業(yè)的增厚晶體技術(shù)與OKI的接合技術(shù)相結(jié)合,可以從基板...
GaN加速商業(yè)化進程 國內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀及前景分析
氮化鎵(GaN)是一種由氮和鎵組成的半導體材料,因其禁帶寬度大于2.2eV,故又稱為寬禁帶半導體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是在藍色發(fā)光器件中具...
蔡司掃描電鏡在第三代半導體領(lǐng)域的應(yīng)用成果
掃描電子顯微鏡-電子通道對比成像(SEM-ECCI)是在掃描電子顯微鏡下直接表征晶體材料內(nèi)部缺陷的技術(shù)。SEM-ECCI技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)取代了透射電子顯微...
國產(chǎn)光伏又用GaN,未來產(chǎn)能100萬套
Transphorm在公告中表示,他們的氮化鎵將被用于大恒能源的Solar Unit產(chǎn)品線,GaN器件可以實現(xiàn)更小、更輕、更可靠的太陽能系統(tǒng),同時還能以...
Wolfspeed的CGHV40320D是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備更優(yōu)越的性能;CGHV4032...
早在2019年,做為3C配件市場發(fā)展風向標的香港電子展,我們就已經(jīng)察覺到氮化鎵快充發(fā)展的迅猛勢頭:2019年4月份春節(jié)展,8款氮化鎵充電器新品參展;而到...
室溫超導神話!太赫茲Onyx系統(tǒng)助力電性能無損檢測
7月底,有關(guān)已成功合成世界上第一個室溫常壓超導體的論文引發(fā)全球熱議,我們是否即將迎來室溫超導的時代?室溫超導的探究離不開各類電性能表征技術(shù),基于太赫茲技...
分立晶體管是電子設(shè)計中最常見的元器件之一。該產(chǎn)品適用于眾多應(yīng)用,從簡單的小信號晶體管到大型高功率器件,以及高頻/高功率器件。
微美全息(NASDAQ:WIMI)突破技術(shù)壁壘,并行GANs圖像修復網(wǎng)絡(luò)助力高效恢復
近年來,隨著互聯(lián)網(wǎng)和數(shù)字媒體的迅猛發(fā)展,圖像修復技術(shù)逐漸成為一個備受關(guān)注的熱門領(lǐng)域。然而,傳統(tǒng)的圖像修復方法通常需要大量的人工干預(yù),并且在復雜場景下表現(xiàn)...
2023-08-14 標簽:互聯(lián)網(wǎng)解碼GaN 422 0
Transphorm的GaN首次達到對電機驅(qū)動應(yīng)用至關(guān)重要的短路穩(wěn)健性里程碑
Yaskawa企業(yè)技術(shù)部基礎(chǔ)研發(fā)管理部經(jīng)理Motoshige Maeda表示:“如果功率半導體器件無法承受短路事件,系統(tǒng)本身可能失效。業(yè)界普遍認為GaN...
英諾賽科(Innoscience)一直致力于推動GaN技術(shù)的發(fā)展,從而推動新一代電力電子設(shè)備的快速普及。2023年8月,英諾賽科推出了一款100V的Ga...
Gel-Pak VR真空釋放盒應(yīng)用于50V GaN HEMT 芯片
50V GaN HMET 芯片采用上海伯東美國 Gel-Pak VR 真空釋放盒進行包裝, Gel-Pak 采用了無殘膠的膜技術(shù), 可以將芯片牢固地固定...
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