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光隔離探頭助力氮化鎵（GaN）原廠FAE解決客戶問題

作為功率半導體廠商，為下游客戶提供典型應用方案似乎成行業內約定俗成的事。也就是說，作為半導體原廠不僅要設計好芯片，還要親自設計和驗證很多應用方案供下游客...

2023-03-13 標簽：電源設計氮化鎵 GaN 1026 0

光隔離探頭實測案例——氮化鎵GaN半橋上管測試

測試背景地點：國外某知名品牌半導體企業，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信...

2023-03-13 標簽：示波器探頭 GaN 1211 0

GaN功率器件應用可靠性增長研究

GaN功率器件是雷達T/R組件或發射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率和功率密度越來越高,器件的長期可靠性成為瓶頸。文章對雷達脈沖工作條件下Ga...

2023-03-03 標簽：功率器件 GaN 2041 0

適用于激光雷達發射端的GaN FET驅動器——HD1001

光探測和測距(Lightdetectionandranging)，簡稱LiDAR，也就是激光雷達技術，被廣泛應用于自動駕駛汽車、工業、無人機、機器人和3...

2023-01-13 標簽：驅動器 GaN 激光雷達 1618 0

學技術 | 氮化鎵（GaN）與硅（Si）的MOS開關比較

由于寬能隙功率元件的優異切換性能，近幾年已經漸漸被商用化。常見的問題，如：究竟寬能隙元件對于系統的功率密度與效率的提升幫助有多少？原先所使用的以硅為基礎...

2022-12-09 標簽：MOS GaN 5382 0

矽力杰新一代超高功率密度GaN解決方案

-第79期-SILERGYGaNSolution氮化鎵技術的出現，通過降低開關損耗和導通阻抗，提高效率，降低發熱，減小了快充充電器的體積。為了實現更高的...

2022-09-29 標簽：GaN 2052 0

東科力推7款合封氮化鎵主控芯片 — 功率覆蓋12W-65W

2021年是氮化鎵技術大規模商用的一年，也是合封氮化鎵芯片快速發展的一年。東科半導體繼推出國內外首顆合封氮化鎵快充芯片以來，持續深耕合封工藝，推出了適用...

2022-06-21 標簽：GaN 主控芯片東科 3073 0

新品推薦 | 東科推出業內首款合封氮化鎵有源箝位控制芯片

DK120GA是一款合封氮化鎵功率器件的有源箝位反激AC-DC功率轉換芯片。它具有超高集成度，內置有源箝位拓撲所需的兩顆GaNHEMT功率管，邏輯控制電...

2022-06-21 標簽：氮化鎵 GaN GaN器件 3371 0

氮化鎵市場前景光明，快充技術越來越平民化

由于對設計、制造業者來說，資金、良率、成本、技術等環節皆為投入GaN領域的考驗，因此早期多由歐美IDM業者開始發展，如今，已演變為業界擴大合作，加快產業...

2022-05-18 標簽：氮化鎵 GaN 富捷 786 0

AMEYA360：羅姆 Semiconductor GNP1 EcoGaN? 650V E模式GaN FET

ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導通電阻和高速開關來提高電源轉換效率和減小尺寸。...

2023-06-19 標簽：電源 GaN 羅姆 522 0

1200V氮化鎵挑戰SiC是否真的可行？

在全球最大的電力電子展 PCIM Europe 2023 上，旨在以類似硅的成本實現垂直 GaN（氮化鎵）功率晶體管的歐洲財團 YESvGaN 介紹了其方案。

2023-06-16 標簽：IGBT SiC 氮化鎵 733 0

SiC/GaN前沿趨勢大論劍！這場會議干貨來了

隨著全球宏觀環境的逐步恢復，SiC/GaN等第三代半導體產業于2023年邁向新的發展高峰，持續攪動新能源汽車、光伏儲能、工業電源、通訊基站等高壓高功率應...

2023-06-16 標簽：SiC GaN 第三代半導體 645 0

國星光電第三代半導體看點盡在《GaN的SIP封裝及其應用》

為期四天的2023廣州國際照明展覽會（簡稱：光亞展）在火熱的氣氛中圓滿落幕。此次展會，國星光電設置了高品質白光LED及第三代半導體兩大展區，鮮明的主題，...

2023-06-14 標簽：led LED電源 GaN 620 0

四大潛力應用助力GaN市場騰飛，易用和可靠性是關鍵

近幾年碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導體異常火熱，國內外很多半導體企業都涌入其中。據Yole Développement統計，2021全球...

2023-06-08 標簽：氮化鎵 GaN 鉗位電路 2364 0

AIXTRON滿足高良率、低成本、自動化量產需求

來源：《半導體芯科技》&《化合物半導體》雜志采訪——AIXTRON中國副總經理方子文博士 5月23-24日，由雅時國際商訊《半導體芯科技》《化合物半導...

2023-06-07 標簽：半導體自動化 SiC 1227 0

賽微電子：子公司聚能創芯將獲2.8億元增資

本次交易將會導致公司合并報表范圍發生變化，本次交易完成后，公司持有聚能創芯股權的比例由32.02%變更為25.02%，聚能創芯不再是公司控股子公司，不再...

2023-06-07 標簽：半導體 GaN 賽微電子 679 0

近11億元！氮化鎵又添新工廠

6月2日，韓國新簽了一個氮化鎵項目，總投資額接近11億元人民幣。

2023-06-07 標簽：傳感器氮化鎵 GaN 636 0

AMEYA360：羅姆確立超高速驅動控制IC技術

ROHM羅姆確立了一項超高速驅動控制IC技術，利用該技術可更大程度地激發出GaN等高速開關器件的性能。近年來，GaN器件因其具有高速開關的特性優勢而被廣...

2023-06-06 標簽：控制器 GaN 羅姆半導體 739 0

SiC與GaN，誰擁有更廣闊的星辰大海？

當下，低碳化和數字化齊頭并進的發展，帶來了萬物互聯、能源效率、未來出行等多重變革。而在這個突飛猛進的過程中，第三代半導體則發揮著重要作用。

2023-06-04 標簽：SiC GaN 碳化硅 238 0

Transphorm發布業界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

該器件已準備就緒：為Transphorm的創新常關型氮化鎵平臺應用于新一代汽車和三相電力系統 ? 加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、...

2023-06-02 標簽：GaN 508 0

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藍牙5是藍牙技術聯盟于2016年6月16日發布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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藍牙5.0是由藍牙技術聯盟在2016年提出的藍牙技術標準，藍牙5.0針對低功耗設備速度有相應提升和優化，藍牙5.0結合wifi對室內位置進行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
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