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支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET

基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率...

2023-05-30 標簽：服務器 FET GaN 745 0

讓GAN再次偉大！拽一拽關鍵點就能讓獅子張嘴&大象轉身

如此“有手就能做”的修圖神器，來自一個MIT、谷歌、馬普所等機構聯手打造的DragGAN新模型，論文已入選SIGGRAPH 2023。

2023-05-24 標簽：AI GaN GitHub 685 0

ROHM具有業界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z...

2023-05-24 標簽：GaN 羅姆半導體功率元器件 704 0

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2023-05-18 標簽：GaN HEMT Rohm 794 0

Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同類產品中擁有出色的穩健性、易用性和高效率

英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司，開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造...

2023-05-15 標簽：MOSFET GaN HEMT 1139 0

多維科技在紐倫堡Sensor+Test展會上推2MHz帶寬的可編程TMR265x線性傳感器芯片

多維科技全新的TMR265x 線性磁場傳感器芯片具有出色的溫度穩定性和多功能性，為高速功率器件提供寬頻譜電流檢測方案。 2023年5月8日，多維科技將在...

2023-05-10 標簽：傳感器 SiC GaN 598 0

Nexperia(安世半導體)推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET

業內唯一可同時提供級聯型（cascade）和增強型（e-mode）氮化鎵器件的供應商。

2023-05-10 標簽：FET GaN Nexperia 1202 0

納微半導體攜尖端GaN/SiC功率產品亮相PCIM 2023

作為歐洲領先的“電力轉換與智能運動”領域專業盛會，PCIM 2023將于5月9日至11日在德國紐倫堡盛大召開，會上將展開超400篇國際技術論文的學術交流...

2023-05-08 標簽：SiC GaN 納微半導體 327 0

MTC-PD65W1C-CTA1快充電源-使用MTC-650V Cascode D-GaN

GaN/氮化鎵作為第三代半導體材料經常被用在PD快充里面；氮化鎵（GaN）擁有極高的穩定性，將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關損耗和驅動損耗，提升...

2023-04-27 標簽：電源氮化鎵 GaN 437 0

介紹硅襯底GaN基Micro LED技術的發展情況

Micro LED新型顯示具有巨大市場前景，也面臨著一系列技術挑戰。選擇合理的產業化路線對推動Micro LED應用落地非常關鍵。

2023-04-26 標簽：LED芯片氮化鎵 GaN 2207 0

MK2562系列高性能CrM PFC控制器簡介

PFC是功率因數校正(Power Factor Correction)的縮寫，是一種電源管理技術，可以在交直流轉換(ACDC)時提高電源對市電的利用率。...

2023-04-25 標簽：控制器功率因數 PFC 1442 0

納微半導體下一代GaNFast技術，10分鐘內實現100%充電

獲TüV萊茵安全認證，這款realme GT3標配的雙口SUPERVOOC的快速充電器基于兩顆納微NV6138氮化鎵功率芯片打造而來，分別用于CRM P...

2023-04-25 標簽：GaN 納微半導體 538 0

GaN:RX65T300的原理、特點及優勢

GaN是第三代半導體材料，具有許多傳統硅半導體所不具備的優良特性，因此被視為新一代半導體技術，具有非常廣闊的應用前景。隨著 GaN功率器件技術的成熟， ...

2023-04-21 標簽：半導體功率器件 GaN 1297 0

GaN:RX65T300 HS2A,240mΩ的原理、特點及優勢

GaN:RX65T300 HS2A是一種基于氮化鎵技術的功率器件，具有較低的導通電阻和開關損耗、高的開關速度和可靠性。其特點和優勢如下：1. 低導通電阻...

2023-04-20 標簽：功率器件氮化鎵 GaN 1027 0

65W氮化鎵（GaN)充電頭PD快充方案

65W快充是目前快充市場出貨的主流規格；氮化鎵具有高可靠性，能夠承受短時間過壓；將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關損耗和驅動損耗，提升開關頻率，附...

2023-04-20 標簽：充電器 PD 氮化鎵 2047 0

氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

來源：德州儀器氮化鎵正取代硅，越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應用中作為提供不間斷連接的關鍵，許多數據中心依賴于日益流行的半導體技術來提高...

2023-04-19 標簽：電源芯片氮化鎵 388 0

氮化鎵(GaN)帶來電源管理變革的3大原因

作為提供不間斷連接的關鍵，許多數據中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。

2023-04-18 標簽：驅動器電源管理德州儀器 854 0

淺析下一代功率半導體的市場前景

由于對SiC功率半導體的強勁需求和對GaN功率半導體的強勁需求，2022年下一代功率半導體將比上年增長2.2倍。預計未來市場將繼續高速擴張，2023年達...

2023-04-13 標簽：SiC GaN 功率半導體 609 0

用于雙脈沖分析的650V GaN CCPAK評估板

對快速 GaN 器件進行基準測試是一項具有挑戰性的任務，需要特殊定制的 PCB 布局。為獲得準確結果，需要超低的雜散電感和高帶寬電流測量。

2023-04-13 標簽：pcb GaN 評估板 1153 0

硅襯底GaN LED技術的應用機遇與挑戰

Micro LED作為“終極顯示技術”其在未來擁有千億級的市場，報告指出了Micro LED的優勢及面臨的挑戰。面向AR應用，Micro LED在亮度、...

2023-04-08 標簽：led GaN Micro LED 1101 0

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藍牙5是藍牙技術聯盟于2016年6月16日發布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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5G網絡作為最新一代的移動互聯網通訊技術，相對4G而言，網速更快；5G手機是指使用第五代通信系統的智能手機。相對4G手機，5G手機有更快的傳輸速度，低時延，通過網絡切片技術，擁有更精準的定位。
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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結合物聯網、云計算、移動互聯網和大數據等新一代信息技術，實現低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關愛的家庭生活方式。
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三星集團是韓國最大的企業集團，包括85個下屬公司及若干其他法人機構，在近70個國家和地區建立了近300個法人及辦事處，員工總數20余萬人，業務涉及電子、金融、機械、化學等眾多領域。
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藍牙5.0是由藍牙技術聯盟在2016年提出的藍牙技術標準，藍牙5.0針對低功耗設備速度有相應提升和優化，藍牙5.0結合wifi對室內位置進行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區，是一家先進、專業的無晶圓半導體公司，致力于研發設計低功耗的 Wi-Fi 和藍牙系統級芯片，提供移動通訊和物聯網解決方案。
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LoRaWAN基于LoRa遠距離通信網絡設計的一套通訊協議和系統架構，如果按協議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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