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英飛凌大中華區首次線上舉辦生態創新峰會,推動本土低碳化、數字化發展
2022年12月14日-15日,英飛凌科技(中國)有限公司成功在線舉辦了以“數字智能、低碳未來” 為主題的OktoberTech?英飛凌生態創新峰會。O...
相比于橫向功率電子器件,GaN縱向功率器件能提供更高的功率密度/晶圓利用率、更好的動態特性、更佳的熱管理,而大尺寸、低成本的硅襯底GaN縱向功率電子器...
為了提高采用率,電動汽車必須提供安全性和便利性,在這種情況下,這主要與提高續航效率、更好的充電基礎設施和更快的充電時間有關。硅器件不太可能達到所需的水平...
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)從消費電子電源類產品開始,GaN拉開了巨大市場發展空間的序幕,并逐漸往數據中心、汽車OBC甚至主驅逆變器等領域滲透。主流應...
2022-12-13 標簽:GaN 2466 0
Ganvix與BluGlass合作開發基于GaN的綠光VCSEL
與此同時,總部位于澳大利亞的BluGlass正在開發一種稱為遠程等離子體化學氣相沉積(RPCVD)的新型沉積技術,其不同于金屬有機化學氣相沉積(MOCV...
由于其固有的特性,寬禁帶半導體(WBG)在許多功率應用中正逐步取代傳統的硅基器件。碳化硅(SiC)功率MOSFET的擊穿電壓高于1kV,這是電動汽車逆變...
近年來,半絕緣SiC襯底上外延生長的GaN高遷移率晶體管(GaN-on-SiC HEMTs)已廣泛應用于微波射頻領域的功率放大器電路中。
2022-12-02 標簽:GaN 683 0
Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規氮化鎵功率模塊達成合作
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia(安世半導體)近日宣布與國際著名的為汽車行業提供先進電子器件的供應商 KYOCERA AVX Comp...
Wolfspeed的CG2H80120D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備更優越的性能;CG2H8012...
聞泰科技 閃耀進博 萬眾矚目的第五屆中國國際進口博覽會(以下簡稱“進博會”)在11月5日正式拉開帷幕,聞泰科技旗下Nexperia(安世半導體)、聞泰通...
GaN還有一些有趣的特性,讓它在各方面更具吸引力。它的電子遷移率和熔點分別實現了高電流通道和更高的溫度(或在相同或更低的溫度下提高可靠性)。
AMCOM的AM021047SF-3H是款專門為通用型應用而設計寬帶GaN功率放大器模塊。AM021047SF-3H的輸出功率為0.15GHz至1.1G...
宏光半導體氮化鎵功率器件外延片產品正式投產 實現GaN業務產能落地 銳意創造全新盈利增長點
(2022年11月2日,香港)宏光半導體有限公司(「宏光半導體」,連同其附屬公司統稱「集團」; 股份代號:6908. HK)欣然宣布,集團近期已開始生產...
Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備優異的性能指標;CG2H800...
KYOCERA AVX和VisIC Technologies合作開發下一代電車應用GaN技術
KYOCERA AVX和VisIC Technologies擴大合作,開展下一代電動汽車應用GaN技術開發 耐斯茲敖那、以色列和薩爾茨堡和奧地利2022...
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