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用于下一代功率器件的金剛石基 GaN

由佐治亞理工學院機械工程學院領導的一個團隊實施了一系列基于室溫表面活化鍵合（SAB）的結果，以鍵合具有不同夾層厚度的 GaN 和單晶金剛石。新開發(fā)的技術...

2022-08-08 標簽：工業(yè)功率器件 GaN 2386 0

GaN 增長因效率提升而呈爆炸式增長

電力電子系統(tǒng)的性能發(fā)生了重大轉變，它由比硅 MOSFET 和 IGBT 更快、更小的 GaN 晶體管驅動。GaN 的性能表明效率和功率密度得到了顯著提高...

2022-08-08 標簽：半導體 GaN 效率 979 0

碳化硅在電力電子領域的應用挑戰(zhàn)

碳化硅是一種非常高效的材料，具有高功率和高溫特性。碳化硅 (SiC) 半導體是提高系統(tǒng)效率、支持更高工作溫度和降低電力電子設計成本的創(chuàng)新選擇。碳化硅是...

2022-08-08 標簽：電力電子 GaN 碳化硅 1940 0

用于新型電力電子設備的垂直GaN器件

GaN 是一種高帶隙材料，與硅相比，它允許器件在更高的溫度下運行并承受更高的電壓。此外，GaN 更高的介電擊穿允許構建更薄且因此電阻更低的器件。較低的特...

2022-08-08 標簽：轉換器開關電源電力電子 1791 0

用于航空航天和國防的 GaN 和 SiC 解決方案

WBG 電源模塊提供的特性和功能比其硅同類產品高出幾個數(shù)量級，包括 10 倍的電壓阻斷能力、10 倍到 100 倍的開關速度能力以及十分之一的能量損失。...

2022-08-08 標簽：電源 SiC GaN 1514 0

數(shù)字電源與 GaN 相結合可實現(xiàn) 99% 的效率

從電力電子設備使用真空管的早期開始，電力工程師就一直關注能效、功率優(yōu)化以及如何使電源更可靠、更小、更智能。我們中可能很少有人記得引入了 Thyratr...

2022-08-08 標簽：數(shù)字電源 GaN 860 0

汽車應用中的寬帶隙材料

寬帶隙半導體 (WBG)，例如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，與硅相比具有更出色的性能：更高的效率和開關頻率、更高的工作溫度和工作電壓。EV ...

2022-08-08 標簽：SiC GaN 碳化硅 949 0

工業(yè)家合作滿足 GaN 和 SiC 市場需求

GaN和 SiC令人印象深刻的品質使它們深受業(yè)內人士的喜愛。然而，它帶來了滿足生產和供應需求的挑戰(zhàn)，因此專業(yè)人士、投資者和工業(yè)家正在合作以確保足夠的可用...

2022-08-08 標簽：SiC GaN 919 0

GaN下游：功率、射頻市場格局；國內外產業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專欄，目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產業(yè)架構，理清上、中、下游的各個環(huán)節(jié)，同時迅速了解各大細分環(huán)節(jié)中...

2022-08-07 標簽：功率器件氮化鎵 GaN 6853 0

GaN材料MOSFET管測試對高帶寬高壓差分探頭要求

GaN材料主要應用于偏低壓應用例如800V以下的應用，像高功率密度DC/DC電源的40V-200V增強性高電子遷移率異質節(jié)晶體管（HEMT）和600V ...

2022-08-05 標簽：MOSFET GaN 差分探頭 795 0

GaN為高效功率器件鋪平道路

MOSFET 和 IGBT 技術的引入還使硅能夠在功率應用中使用，其特點是電流和電壓特別高。

2022-08-05 標簽：MOSFET IGBT GaN 889 0

寬禁帶半導體前景樂觀

對電子設備的需求激增正在推動半導體行業(yè)多個領域的增長。制造商通過使用非傳統(tǒng)產品和應用程序添加差異化服務來尋求競爭優(yōu)勢。這一趨勢的受益者是寬帶隙（WBG...

2022-08-05 標簽：電平轉換器 GaN 寬禁帶半導體 1741 0

GaN晶體管熱管理指南

GaN 晶體管越來越多地用于各個領域：汽車領域、電力供應以及電流的轉換和使用。這些組件將很快取代它們各自的前身。讓我們來看看如何更好地管理不同的操作條件...

2022-08-05 標簽：晶體管 GaN 熱管理 1304 0

GaN和SiC等寬帶隙技術的挑戰(zhàn)

對硅替代品的探索始于上個世紀的最后二十年，當時研究人員和大學對幾種寬帶隙材料進行了試驗，這些材料顯示出在射頻、發(fā)光、傳感器和功率半導體等領域替代現(xiàn)有硅材...

2022-08-05 標簽：二極管功率器件 GaN 865 0

基于 GaN 的 Dickson 轉換器提高 EV 效率

電動汽車 (EV) 電力需求的增加已將傳統(tǒng)的 12V 系統(tǒng)推至其最大容量 3 kW。因此，開發(fā)了一個補充 48-V 網(wǎng)絡。1,2 48V 總線和內核電壓...

2022-08-05 標簽：電動汽車電源轉換器 1130 0

GaN 與 Si 在 48 V 下的對比……前線最新消息

氮化鎵 (GaN)器件以最小的尺寸提供最佳性能、提高效率并降低 48 V 電源轉換應用的系統(tǒng)成本。在這些應用中，eGaN ? FET 和 IC 的應用迅...

2022-08-05 標簽：半導體 EPC GaN 1395 0

測試、測量試驗，確認 GaN 技術的價值

通過測試和測量持久力來評估電子設備的質量和耐用性。評估氮化鎵 (GaN)價值的測試勢在必行，因為它自誕生以來就具有巨大的潛力，可以實現(xiàn)更高效的功率轉換，...

2022-08-05 標簽：半導體工業(yè)SiC 1278 0

GaN改變充電器設計

氮化鎵 (GaN) 開關技術推動了充電器和適配器的小型化。與使用等效硅器件的電路相比，它允許開發(fā)可以在高開關頻率下運行的轉換器。GaN 減小了變壓器尺寸...

2022-08-05 標簽：充電器適配器 GaN 854 0

用于 5G 行業(yè)的射頻功率半導體

使用 WBG 材料的射頻功率半導體解決了 5G 應用中的許多技術挑戰(zhàn)，縮小了與舊的基于硅的技術之間的差距。 5G 技術的進步正在推動半導體行業(yè)面臨新的技...

2022-08-05 標簽：射頻 SiC GaN 1515 0

氮化鎵，并網(wǎng)轉換器vista

多年來，設計人員一直在描述氮化鎵 (GaN) 有助于在電網(wǎng)應用中實現(xiàn)前所未有的功率密度、系統(tǒng)可靠性和成本水平的未來。工程師不僅在尋找設備或技術成熟度——...

2022-08-05 標簽：轉換器半導體氮化鎵 948 0

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藍牙5是藍牙技術聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發(fā)射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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自iphone7取消3.5mm插孔后藍牙耳機市場得到迅猛發(fā)展，藍牙耳機種類也層出不窮，TWS藍牙耳機兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍牙耳機開始大行其道。
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