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GaN 提高了功率轉換級的效率，使其成為制造高效電壓轉換器中硅的可行替代品。與硅相比，GaN 具有許多優勢，包括更高的能效、更小的尺寸、更輕的重量和更便...
在電氣領域，漏極和源極之間的漏電流 (I DSS ) 或柵極和源極之間的漏電流 (I GSS ) 是功率 MOSFET 故障的一般類別。將故障分析集中在...
已經為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管(HEMT)的增強模式開發了兩種不同的結構。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導體 (MIS) 結構，2具有由電壓驅動...
雖然乍一看似乎比較簡單，但這些器件的柵極驅動器電路需要仔細設計。首先，通常關閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負電壓來將其關閉并將其保持在關閉狀態，從...
傳統上，半導體生產中最常用的材料是硅 (Si)，因為它的資源豐富且價格實惠。然而，半導體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數都提供額外的好處...
APEC是最重要的電力電子盛會之一。來自學術界和工業界的許多人有機會討論了有關GaN 和 SiC的最新消息。在會議期間，我有機會與這么多專家交談，并進一...
氮化鎵是未來節能電動汽車和 5G 網絡的關鍵組成部分。Hexagem是一家位于隆德大學的初創公司，正在瑞典研究機構Rise 測試平臺 ProNano開發...
除了可以被視為利基領域的航空航天和國防之外，GaN在電信市場中也占有重要地位，其中高功率密度、開關頻率和效率（結合小尺寸）是強制性要求。
Kubos Semiconductors Ltd. 是一家基于立方氮化鎵的 LED 開發商，與曼徹斯特大學和劍橋大學的研究人員合作，確定了 Kubos ...
適用于CSP GaN FET的簡單且高性能的熱管理解決方案?
本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺...
本文分析了高性能肖特基勢壘二極管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平臺上的成功協...
歐盟大約有 80 億臺電動機在使用，消耗了歐盟生產的近 50% 的電力。 1 由于提高效率和減少碳足跡是政府和行業的主要目標，因此存在多項舉措來降低這些...
電源設計說明：面向高性能應用的新型SiC和GaN FET器件分析
第一款 UJ4SC075006K4S 器件功能非常強大，導通電阻 (R DS(on) ) 僅為 6 mΩ 和 750 V，是 UnitedSiC 九件套...
在設計基于氮化鎵的轉換器七年后，我們可以肯定地說，從硅 MOSFET 到 GaN 晶體管的轉換是一個革命性事件，其規模可與 70 年代后期的功率 MOS...
新型寬帶隙半導體（如碳化硅和氮化鎵）在市場上的擴散對傳統的老化和測試系統提出了挑戰，因為裸片尺寸越來越小，并且組件可以承受更高的電壓和溫度。 老化試驗箱...
GaN Power HEMT > 650 V：與 SiC MOSFET 的參數分析和比較
在過去幾年中，SiC MOSFET 在高壓 (600V) 和大功率應用中占據主導地位。熱導率、高臨界場、大大提高的開關效率以及在其表面形成二氧化硅的能力...
氮化鎵已成為事實上的第三代半導體材料。然而，以您需要的質量和所需的熱阻制造 GaN 晶圓是晶圓廠仍在努力克服的挑戰。
GaN 是一種新的生產半導體，有望在未來幾年在許多應用中取代硅，而電池充電是第一個展示這種采用的大批量市場。如今，大多數用于電子產品的充電器都使用硅晶體...
不久前，SiC和GaN器件的應用還被認為是困難的，但到了2018年，這些技術的優勢開始被應用到現實生活中。這項新技術成功背后的原因是什么？ SiC 和 ...
我們深入探討了 WBG 技術的前景和缺陷，考察了這些硅替代品的優缺點，以及汽車和 5G 等要求苛刻的應用是否足以將 GaN 和 SiC 技術推向未來芯片...
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