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今日看點(diǎn)丨龍芯中科下一代八核3B6600 CPU明年流片;英飛凌推出全球首創(chuàng)12英寸GaN晶圓技術(shù)
1. 英飛凌推出全球首創(chuàng)12 英寸GaN 晶圓技術(shù) ? 英飛凌日前表示,公司已能夠在12英寸(300mm)晶圓上生產(chǎn)GaN芯片,該技術(shù)為世界首創(chuàng),希望滿...
英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù), 推動行業(yè)變革
2024年9月11日訊,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)今天宣布,已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵(GaN...
信越化學(xué)推出12英寸GaN晶圓,加速半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新
日本半導(dǎo)體材料巨頭信越化學(xué)近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破,成功研發(fā)并制造出專用于氮化鎵(GaN)外延生長的300毫米(即12英寸)晶圓,標(biāo)志著公司在高性能半...
聚焦綠色能源四大細(xì)分市場,英飛凌SiC和GaN新品亮相PCIM展會
在PCIM Asia展上,英飛凌展示了廣泛的硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率電子產(chǎn)品組合,其中多款應(yīng)用于可再生能源、電動交通、智能家居...
8月28日至30日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商英飛凌,在深圳盛大亮相“2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(PCIM Asia)”,以“數(shù)...
GaN HEMT技術(shù)引領(lǐng)儲能系統(tǒng)革命,國內(nèi)企業(yè)積極布局
隨著5G通信和電力電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)憑借其卓越的物理和化學(xué)特性,逐漸成為儲能系統(tǒng)和電力電子器件的重要材料。業(yè)...
2024-08-28 標(biāo)簽:晶體管GaN儲能系統(tǒng) 388 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)作為新一代的半導(dǎo)體材料,因其禁帶寬度大、臨界擊穿電場高、飽和電子漂移速度高等特...
氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場風(fēng)起云涌,引領(lǐng)技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級
自去年以來,氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場持續(xù)升溫,成為半導(dǎo)體行業(yè)的焦點(diǎn)。英飛凌、瑞薩電子、格芯等業(yè)界巨頭紛紛通過并購GaN技術(shù)公司,加速在這一領(lǐng)域的布...
2024-08-26 標(biāo)簽:氮化鎵GaN功率半導(dǎo)體 563 0
Pulsiv發(fā)布了效率超高的65W USB-C設(shè)計,可將溫度降低30%,采用集成半有源橋,效率高達(dá)96%
2024 年 8 月 22 日: 位于英國劍橋的電力電子技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)Pulsiv Limited宣布推出效率超高*的 65W USB-C GaN優(yōu)化參考...
TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報告揭示了全球GaN(氮化鎵)功率元件市場的強(qiáng)勁增長潛力。據(jù)預(yù)測,到2030年,該市場規(guī)模將從2023年的約2.7...
利用國產(chǎn)C2000實(shí)時DSP,QX320F280049,提高GaN數(shù)字電源設(shè)計實(shí)用性
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù) 字電源轉(zhuǎn)...
GaN技術(shù)引領(lǐng)功率電子產(chǎn)業(yè)新風(fēng)潮,預(yù)估2030年市場規(guī)模將突破43億美元
隨著全球?qū)Ω咝茈娏鉀Q方案的需求日益增加,氮化鎵(GaN)技術(shù)正在成為功率電子產(chǎn)業(yè)的一大亮點(diǎn)。近期,英飛凌和德州儀器等行業(yè)巨頭對GaN技術(shù)的投入不斷加...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)GaN在近幾年的應(yīng)用發(fā)展非常迅速,從最開始的消費(fèi)電子領(lǐng)域,手機(jī)快充充電頭,已經(jīng)拓展到數(shù)據(jù)中心、光伏、儲能,甚至是電動汽車、...
國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體原廠上市即遭大廠訴訟,產(chǎn)業(yè)前景如何解讀?
電子發(fā)燒友網(wǎng)(文/梁浩斌)最近國內(nèi)的首個第三代半導(dǎo)體芯片原廠提出了在港交所IPO上市的申請,不出意外的話將會獲得成功上市。這對于國內(nèi)眾多三代半的功率器件...
2024-08-05 標(biāo)簽:氮化鎵GaN第三代半導(dǎo)體 3917 0
德高化成第三代半導(dǎo)體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目正式開工
據(jù)天津經(jīng)開區(qū)一泰達(dá)消息,近日,天津德高化成新材料股份有限公司的全資子公司天津德高化成科技有限公司(以下簡稱德高化成)在天津經(jīng)開區(qū)的施工現(xiàn)場打下第一根樁,...
1200V GaN又有新玩家入場,已進(jìn)入量產(chǎn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)最近,又有國內(nèi)GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術(shù)。7月26日,宇騰科技在社交平臺上宣布公司自主研發(fā)生產(chǎn)的藍(lán)寶石基...
全球最高功率密度!納微全新4.5kW服務(wù)器電源方案正式發(fā)布,輕松滿足AI數(shù)據(jù)中心增長的功率需求
納微氮化鎵和碳化硅混合設(shè)計電源能在最小尺寸下,為每個搭載AI GPU的機(jī)柜提升3倍功率 加利福尼亞州托倫斯2024年7月25日訊 — 下一代GaNFas...
2024-07-26 標(biāo)簽:電源服務(wù)器數(shù)據(jù)中心 1409 0
近年來,氮化鎵(GaN)技術(shù)以其在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的顯著優(yōu)勢,迅速成為半導(dǎo)體行業(yè)的焦點(diǎn)。尤其是在人工智能(AI)、智能汽車和新能源等新興領(lǐng)域...
收購GaN Systems后,英飛凌的GaN 產(chǎn)品線突飛猛進(jìn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)2023年10月,英飛凌成功收購GaN Systems,后者是在氮化鎵芯片設(shè)計領(lǐng)域,有著獨(dú)特的技術(shù)和產(chǎn)品積累的公司。英飛凌...
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