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利用數(shù)值模擬軟件構(gòu)建了兩種6英寸SiC單晶生長模型
碳化硅( SiC) 材料具有禁帶寬度大、飽和電子速度高、臨界擊穿電場強度高、熱導(dǎo)率高等特性,其品質(zhì)因子優(yōu)異,在高溫、高頻、大功率及抗輻射領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2022-06-24 標簽:半導(dǎo)體材料SiCGaN 1076 0
隨著第三代半導(dǎo)體GaN應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展,市面上適配器應(yīng)用方案開始逐漸采用GaN功率器件,GaN適配器高頻開關(guān)器件使得適配器的功率密度大大提高,產(chǎn)品尺寸更小...
ACT41000-104-REF1實現(xiàn)多種GaN PA偏置并自動校準系統(tǒng)
中國北京 – 2022 年 6 月 14 日 – 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo, Inc.(納斯達克...
新開發(fā)了一種GaN襯底減薄技術(shù)——激光減薄技術(shù)
而此次他們通過實驗證明,該技術(shù)同樣適用于GaN-on-GaN HEMT器件制造,即在器件制造之后采用激光工藝進行減薄,該技術(shù)可顯著降低 GaN 襯底的消耗。
通過與 Exagan 的集成,ST 將擁有市場上最強大的 GaN IP 產(chǎn)品組合,因為我們將能夠同時提供 E 模式和 D 模式 GaN 產(chǎn)品,從而為...
納微NV613x和NV615x系列額定電壓已升級到700V,實現(xiàn)更高效率和可靠性
圖片 ? 采用 GaNSense? 技術(shù)的700V額定電壓GaNFast?智能氮化鎵功率芯片可實現(xiàn)更高的效率和可靠性 ? 圖片 ? 氮化鎵 (GaN) ...
基于GaN光學(xué)芯片的高度集成、微型化、低成本光學(xué)顯微傳感系統(tǒng)
目前主流商業(yè)化的無標記活細胞監(jiān)測技術(shù)以電阻抗測量為基礎(chǔ)的微電子傳感技術(shù)為代表,該技術(shù)利用活細胞與檢測板孔中微電極相互作用,產(chǎn)生電阻抗的改變來定量活細胞狀...
2022-04-29 標簽:GaN傳感系統(tǒng)光學(xué)芯片 1822 0
基于LMG5200 GaN器件的負載點轉(zhuǎn)換電源參考設(shè)計
該參考設(shè)計采用具有電流倍增整流器(current-doubler rectifier)的單級硬開關(guān)半橋,這種拓撲結(jié)構(gòu)有效地支持高降壓比,同時提供可觀的輸...
如何使用合成數(shù)據(jù)測試機器學(xué)習(xí)
當數(shù)據(jù)點之間存在依賴關(guān)系時,例如時間序列數(shù)據(jù)和文本分析,數(shù)據(jù)科學(xué)家會使用RNN(循環(huán)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)) 。LSTM(長期短期記憶)通過一系列重復(fù)模塊創(chuàng)建一種形式...
2022-04-25 標簽:GaN機器學(xué)習(xí) 2325 0
由于GaN和其他寬帶隙晶體管在結(jié)構(gòu)和材料上與硅設(shè)備有所差異,它們需要專門定制的測試指南以確保設(shè)備的可靠性。測試指南對于增強人們對GaN可靠性的信心以...
前言:【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專欄,目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)鏈,理清上、中、下游的各個環(huán)節(jié),同時迅速了解各大細分環(huán)...
GaN優(yōu)勢與多領(lǐng)域市場應(yīng)用
GaN是一種III/V直接帶隙半導(dǎo)體,通常用于微波射頻、電力電子和光電子三大領(lǐng)域。受電信基礎(chǔ)設(shè)施和國防兩個方向應(yīng)用推動,加上衛(wèi)星通信、有線寬帶和射頻功率...
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙,能帶動電子進入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實現(xiàn)更高功率,更高開關(guān)速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化...
GaN材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表,具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導(dǎo)率和高峰值電子漂移速度等優(yōu)質(zhì)性能。因此,GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大...
在視頻生成領(lǐng)域,研究的一個重要里程碑是生成時間相干的高保真視頻。來自谷歌的研究者通過提出一個視頻生成擴散模型來實現(xiàn)這一里程碑,顯示出非常有希望的初步結(jié)果...
氮化鎵(GaN)由原子序數(shù)31的鎵和原子序數(shù)7的氮結(jié)合而成,是一種具有堅硬的六角形晶體結(jié)構(gòu)的寬帶隙半導(dǎo)體材料。帶隙是將電子從圍繞原子核的軌道上釋放出來所需的能量
2022-04-11 標簽:半導(dǎo)體數(shù)據(jù)中心GaN 6837 0
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