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意法半導(dǎo)體發(fā)布50W GaN功率變換器,面向高能效消費(fèi)及工業(yè)級電源設(shè)計(jì)
2022 年 4 月 7 日,中國——意法半導(dǎo)體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關(guān)反激式功率變換器設(shè)計(jì),并集成一個(gè) 650V 氮化鎵 (...
2022-04-07 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)變換器意法半導(dǎo)體 7693 0
EditGAN圖像編輯框架將影響未來幾代GAN的發(fā)展
此外, EditGAN 框架可能會影響未來幾代 GAN 的發(fā)展。雖然當(dāng)前版本的 EditGAN 側(cè)重于圖像編輯,但類似的方法也可能用于編輯 3D 形...
SiC產(chǎn)業(yè)市場格局與發(fā)展現(xiàn)狀分析
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)這幾年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展得如火如荼,GaN器件在快充等消費(fèi)類電子領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,碳化硅(SiC)器件則被汽車電子廠...
北京冬奧會實(shí)現(xiàn)核心信息系統(tǒng)100%云上運(yùn)行
當(dāng)不同行業(yè)數(shù)字化程度趨于成熟,智慧城市雛形初現(xiàn)。2022北京冬奧會通過引進(jìn)智慧城市多種產(chǎn)品與模式,打造出微縮版城市空間,為全球展示著未來各個(gè)領(lǐng)域的可能樣...
SiC功率技術(shù)現(xiàn)狀和大規(guī)模商業(yè)化的障礙
硅 (Si) 功率器件由于其低成本的批量生產(chǎn)、出色的起始材料質(zhì)量、易于制造和經(jīng)過驗(yàn)證的可靠性而在電力電子領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。盡管硅功率器件不斷改進(jìn),但它們...
氮化鎵因其獨(dú)特的性質(zhì)和在光電和微電子器件中的潛在應(yīng)用而引起了廣泛的興趣。然而,GaN異質(zhì)外延層中高達(dá)108 cm-2的位錯(cuò)密度縮短了GaN基器件的壽命。...
早前,Qorvo 舉辦了一系列的設(shè)計(jì)峰會,通過這一系列峰會,可將您與我們的市場和產(chǎn)品專家聯(lián)系在一起,以幫助您提升應(yīng)用水平。
通過紫外線輔助光蝕刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)的濕式蝕刻
我們?nèi)A林科納使用K2S2O8作為氧化劑來表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術(shù)。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率,并產(chǎn)生了光滑的高質(zhì)量蝕刻表面...
GaN HEMT概述/分類/結(jié)構(gòu)/工作原理
氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表...
冬奧會天氣預(yù)報(bào)人是真人嗎,GAN、模擬仿真、AI虛擬人?
模擬仿真|深度學(xué)習(xí)|GAN|數(shù)字孿生 AI虛擬人|冬奧會|圖像轉(zhuǎn)換|自監(jiān)督學(xué)習(xí) 隨著模擬仿真、人工智能、深度學(xué)習(xí)的快速發(fā)展,GAN技術(shù)的脫穎而出給圖神經(jīng)...
今天我們一起聊一聊GaN市場的產(chǎn)能情況。雖然近三年來,GaN的投資項(xiàng)目遍地開花,有很多在建項(xiàng)目,但真正能給市場提供產(chǎn)品的工廠并不多。
2022-02-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN第三代半導(dǎo)體 4999 0
這幾年第三代半導(dǎo)體異?;馃幔瑖鴥?nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù),2020年,GaN功率器件市場規(guī)模為4600萬美元,相比2019年增長了...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)這幾年第三代半導(dǎo)體異?;馃?,國內(nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù),2020年,GaN功率器件市場規(guī)模為460...
p-NiO插入終端結(jié)合MOS結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高性能GaN基SBD
依托先進(jìn)的半導(dǎo)體TCAD仿真平臺,天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)了一種具有p-NiO插入終端結(jié)合側(cè)壁MOS場板的混合式肖特基勢壘二極管結(jié)構(gòu)(Hyb...
回顧2021年國內(nèi)外氮化鎵產(chǎn)業(yè)的重大事件
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠)高頻、高功率密度、低損耗的氮化鎵突破了傳統(tǒng)硅材料的物理極限,成為了市場的寵兒。如今氮化鎵在消費(fèi)類電子市場快速起量的同時(shí),還在...
群雄逐鹿!2021 GaN產(chǎn)業(yè)熱門事件盤點(diǎn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠)高頻、高功率密度、低損耗的氮化鎵突破了傳統(tǒng)硅材料的物理極限,成為了市場的寵兒。如今氮化鎵在消費(fèi)類電子市場快速起量的同時(shí),還在...
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布,該公司2021年12...
朗迅科技承擔(dān)國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)
近日,朗迅科技參與國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng) ——?GaN基新型電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)綜合績效評價(jià)會議,至此,該項(xiàng)目順利結(jié)題。 “戰(zhàn)略...
GaN功率器件供應(yīng)商聚能創(chuàng)芯與世強(qiáng)達(dá)成戰(zhàn)略合作
與Si元器件相比,GaN具有高擊穿電場強(qiáng)度、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點(diǎn),可大幅提升器件與系統(tǒng)的功率密度、工作頻率與能量轉(zhuǎn)換效率,隨著5G通信...
第16屆“中國芯”-寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會成功舉辦
大會同期舉辦了面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體領(lǐng)域的“寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會”。峰會以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用,推動后摩爾時(shí)代發(fā)展”為主題,邀請了英諾賽科科技有限公司、蘇...
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