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英飛凌和松下攜手加速650V GaN功率器件的GaN技術開發
對于許多設計來說,氮化鎵(GaN)比硅具有根本的優勢。與硅MOSFET相比,氮化鎵HEMT具有出色的特定動態導通電阻和更小的電容,因此更適于做高速開關。
采用 PowiGaN 技術的 InnoSwitch3 無散熱片反激式開關 IC,功率可達 100 W,效率可達 95%。 PowiGaN 是 Power...
功率電子技術正朝向更高的功率密度、高快的開關速度、更小的器件體積這個趨勢發展,而傳統的硅基器件已經接近了物理性能的天花板,很難有大幅提升的空間,因此基于...
相比其它半導體,GaN 是一種相對較新的技術,但它已然成為某些高射頻、大功率應用的技術之選。雖然 LDMOS 技術目前仍在射頻基站領域占有最大市場份額,...
2021-07-30 標簽:GaN 2402 0
高功率密度、高效率和更寬的頻率支持使基于 GaN 的解決方案成為適合許多射頻應用的優良選擇。嵌入式系統設計人員都知道,每一種材料都必須權衡利弊。在探討最...
2021-07-28 標簽:GaN 1779 0
減少能耗是電信基礎設施的一個主要目標,其中每一點效率都至關重要。在多芯片模組中使用GaN可在2.6 GHz頻率下將產品組合效率提高到 52%,比公司上一...
目前,在高功率與高頻應用領域,氮化鎵(GaN)越來越受到重視,無論是國際大廠,如Qorvo、英飛凌、NXP、Cree、日本住友等,還是中國本土產商,如三...
據麥姆斯咨詢報道,近日,北京賽微電子股份有限公司(簡稱:賽微電子)舉行投資者關系活動,賽萊克斯北京首席科學家:陸原博士,公司董事、副總經理、董事會秘書:...
近年來,因為 5G 的應用,大家對射頻氮化鎵的關注度日益提升。 小編也認為,GaN 非常適合提供毫米波領域所需的高頻率和寬帶寬。它可以滿足性能和小尺寸要...
? 第三代半導體材料是支撐經濟社會發展和保障國家安全的戰略性和基礎性產業,是國家新材料發展計劃的重中之重。“十四五”期間,我國將在教育、科研、開發、融資...
科研人員研制紫外LED器件發光效率比傳統結構提高了101.6%
全球128個國家簽署的《聯合國水俁公約》已于2017年8月在中國正式生效,條約明令各國從2020年起禁止生產及進出口各種含有汞的制品,傳統汞燈將被禁止生...
復合年增長70%!GaN被快充帶火,用于數據中心、電動汽車,未來市場無限可期
近幾年,第三代半導體GaN快速發展,根據襯底材料的不同,GaN主要分為幾類:Si基GaN,目前主要應用在功率期間中,也逐漸被部分射頻器件采用;藍寶石襯底...
機器學習領域是巨大的,為了學習不迷路,可以從以下列表幫助學習。它概述深度學習的一些學習細節。 階段1:入門級入門級能夠掌握以下技能: 能夠處理小型數據集...
近幾年,中國碳化硅(SiC)項目可謂遍地開花,據中國電子材料行業協會半導體材料分會統計,截至今年5月,我國從事SiC襯底研制的企業已經有30家,還不包括...
GaN生物傳感器基于一種被稱為“生物高電子遷移率晶體管(bio High Electron Mobility Transistor,bioHEMT)”的...
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