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隨著半導體材料步入第三代半導體時代,行業(yè)巨頭在SiC/GaN器件和模塊上早已布局多年。事實上,從特性上來講,SiC和GaN的優(yōu)勢是互補的,應用覆蓋了電動...
第三代化合物半導體發(fā)展如火如荼,中國企業(yè)率先入局
化合物半導體在軍事中的應用領域也不少,在大功率的高速交通工具也是關鍵材料,所以被各國視為戰(zhàn)略物資,半絕緣的化合物半導體甚至要拿到證明才可以出口,是相當重...
賽微電子的半導體業(yè)務繼續(xù)快速發(fā)展且整體盈利良好
2020年上半年,賽微電子基本每股收益0.0182元,較上年同期下降79.53%;加權平均凈資產收益率0.41%,較上年同期下降0.75%(絕對數(shù)值變動...
“GaN”中文名“氮化鎵”,是一種新型半導體材料,它具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性,在早期廣泛運用于新能源汽車、...
GaN Systems的GS-EVB-AUD-xx1-GS音頻評估板
GaN Systems GS-EVB-AUD-xx1-GS平臺可作為D類放大器板(GS-EVB-AUD-AMP1-GS)單獨銷售,也可以與開關電源(SM...
Nubia推出的另一種產品是具有三個充電端口的120W GaN充電器
此外,快速充電器具有120W的功率支持,這是由亞硝酸鎵供電的充電器史上的一個里程碑。在此之前,大多數(shù)GaN充電器的額定功率均為65W或90W,但是Nub...
UCSB團隊利用外延隧道結制備高性能InGaN Micro LED
Micro LED的發(fā)光效率會隨著尺寸微縮而下降,從而導致檢測與維修問題增多,這是Micro LED面臨的關鍵技術難題之一。鑒于此,相關技術研究員嘗試在...
AMCOM的GaN MMIC放大器性能優(yōu)異,它的優(yōu)勢有哪些
AMCOM是美國半導體公司中最具有全世界技術領先的微波設計公司,AMCOM的GaN寬禁帶半導體具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等好...
加拿大開發(fā)一種將Micro LED轉移并粘合到柔性基板上的新方法
加拿大滑鐵盧大學的研究人員報告說,他們創(chuàng)造了一種將Micro LED轉移并粘合到柔性基板上的新方法。
ALLOS與KAUST即將共同研發(fā)高效硅基InGaN紅色Micro LED
據(jù)報道,德國硅基氮化鎵專家ALLOS Semiconductors宣布與沙特阿卜都拉國王科技大學(KAUST)研究團隊達成合作,雙方將共同研發(fā)高效硅基I...
與1月份的最后一次重大公告一樣,該公司還展示了一種用于深度學習的新方法的技術,在這種情況下,該公司提供了一種用于消除AI模型偏差的新技術。該軟件可以執(zhí)行...
GaAs和GaN混合集成微波功率放大器已實現(xiàn)量產
隨著目前美國對我國各個行業(yè)的限制,特別是在包括Sub-1G的自組網等射頻通信領域的限制更加嚴格,我們需要發(fā)展自己的好性能芯片,尤其是通信裝備就更加敏感了...
對于任何機器人系統(tǒng),模擬都是關鍵的一環(huán)。為正確地進行模擬,我們需要編寫復雜的環(huán)境規(guī)則,如:動態(tài)代理的行為,以及每個代理的行為會如何影響其他代理的行為。
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