Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導(dǎo)體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)

更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應(yīng)用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，...

2015-11-22 標簽：SiCGaNBulk Si 1539 0

Qorvo將GaN應(yīng)用于 Ka 波段以改善衛(wèi)星網(wǎng)絡(luò)

移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo， Inc.（納斯達克代碼：QRVO）日前宣布推出一款極具成本效益的高性能 K...

2015-09-17 標簽：GaNQorvo 1066 0

高效率低能耗，SiC/GaN元件掀功率半導(dǎo)體革命熱潮

隨著全球節(jié)能環(huán)保意識抬頭，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始投入提高產(chǎn)品效率、降低功耗以及減少材料使用的技術(shù)開發(fā)，加上電動車、再生能源以及各種能源傳輸與轉(zhuǎn)換系統(tǒng)不斷要求高效...

2014-10-03 標簽：功率器件SiCGaN 5671 1

安森美與Transphorm合作提供基于GaN的電源系統(tǒng)方案

2014年9月26日 – 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）與功率轉(zhuǎn)換專家Transpho...

2014-09-26 標簽：GaN安森美公司Transphorm公司 1226 0

新一代功率半導(dǎo)體大熱，節(jié)能成發(fā)展關(guān)鍵

技術(shù)信息供應(yīng)商美國IHSGlobal預(yù)測稱，功率半導(dǎo)體市場將穩(wěn)定發(fā)展。全球市場規(guī)模預(yù)計在2017年，將從2012年的114億美元擴大到141億美元。其中...

2014-02-12 標簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 1279 0

英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時尚早

業(yè)界對GaN功率元件的期待已達到最高峰。實際上這的確是一種非常有前景的材料。但其中還有很多未知的部分，采用還為時尚早。英飛凌科技負責汽車用高壓功率半導(dǎo)體...

2014-01-22 標簽：英飛凌功率器件GaN 1679 0

新一代功率半導(dǎo)體開發(fā)競爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元...

2013-12-30 標簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 860 0

明星企業(yè)齊聚PEC電力電子，共討行業(yè)發(fā)展新趨勢

由愛戴愛集團主辦，《Bodo’s功率系統(tǒng)》協(xié)辦的PEC中國國際電力電子峰會暨產(chǎn)品展示會—蘇州站將于10月25日在蘇州會議中心隆重開幕。截止日前，英飛凌科...

2013-10-15 標簽：IGBTSiCGaN 1116 0

PEC-電力電子帶你看SiC和GaN技術(shù)與發(fā)展展望

據(jù)權(quán)威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場，預(yù)計到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場...

2013-09-18 標簽：電力電子SiCGaN 2710 0

富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品

今天，富士通半導(dǎo)體宣布推出基于硅襯底的氮化鎵（GaN）功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150V。用戶可設(shè)計出體積更小、效率更高電源組件，可廣...

2013-07-23 標簽：功率器件GaN 1172 0

功率半導(dǎo)體觀察：SiC和GaN飛速發(fā)展的時代

　“PCIM Europe”是功率器件、逆變器、轉(zhuǎn)換器等功率電子產(chǎn)品的展會。在市場要求降低耗電、減輕環(huán)境負荷等背景下，該展會的規(guī)模逐年擴大，2013年共...

2013-07-09 標簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 3694 0

飛思卡爾提供多款新型LDMOS和GaN功率晶體管

日前，射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵（GaN）晶體管，所有...

2013-06-09 標簽：飛思卡爾GaNLDMOS 1965 0

未來十年將是GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場，將以18%速度增長

在未來十年，受電源、光伏（PV）逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動，新興的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。據(jù)有...

2013-04-26 標簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 1661 0

日企聚焦GaN功率元件，耐壓600V產(chǎn)品成主流

Si之后的新一代功率半導(dǎo)體材料的開發(fā)在日本愈發(fā)活躍。進入2013年以后，日本各大企業(yè)相繼發(fā)布了采用SiC和GaN的功率元件新產(chǎn)品，還有不少企業(yè)宣布涉足功...

2013-04-19 標簽：GaN功率元件 1941 0

首爾半導(dǎo)體推出利用GaN晶體非極性面的白色LED

　韓國首爾半導(dǎo)體開發(fā)出了在1mm見方藍色LED芯片上組合熒光材料，實現(xiàn)了光通量為500lm左右的白色LED，并在“日本第5屆新一代照明技術(shù)展”上展出。該...

2013-01-23 標簽：LED首爾半導(dǎo)體GaN 1091 0

新一代功率器件將在2013年迎來技術(shù)大挑戰(zhàn)

SiC和GaN作為新一代的半導(dǎo)體功率器件，由于其開關(guān)高速、高頻工作和高溫工作燈特點，受到了廣大關(guān)注。隨著鐵路和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用增加，在2013年，這兩款器件...

2013-01-21 標簽：功率器件SiCGaN 748 0

GaN襯底 中國LED企業(yè)與國外廠家同時起跑

　目前市場上LED用到的襯底材料有藍寶石、碳化硅SiC、硅Si、氧化鋅 ZnO、 以及氮化鎵GaN，中國市場上99%的襯底材料是藍寶石，而就全球範圍來看...

2012-11-28 標簽：LED歐司朗GaN 2234 0

功放如何為智能手機提供最佳效率

隨著許多大城市相繼推出LTE和TD-LTE以及智能手機輕薄化要求不斷提升，集成度和性能的重要性前所未有。因此，功放必須在這兩方面進一步提高，以幫助移動設(shè)...

2012-10-08 標簽：td-lte功放GaN 3305 0

SOITEC與四聯(lián)合作開發(fā)GaN晶片 大大降低LED成本

SOITEC與重慶四聯(lián)光電就共同使用HVPE制造氮化鎵（GaN）達成了協(xié)議。GaN晶體模板在LED的生產(chǎn)中能大大降低成本。

2012-07-10 標簽：LEDGaNSOITEC 1006 0

SiC上沉積的GaN最新技術(shù)

為什么GaN可以在市場中取得主導(dǎo)地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。

2011-12-01 標簽：SiCGaN 1622 0