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硅上GaN LED分析

硅上GaN LED 不必受應力的影響，一定量的應力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監測溫度和晶片曲率，制備出低位錯密度的扁平型150mm外延...

2011-11-02 標簽：LED GaN 1891 0

S波段寬帶GaN放大器的設計

本文使用Agilent ADS 仿真軟件設計實現一款GaN 寬帶功率放大器，并對放大器進行了詳細測試，驗證了放大器在S 波段2 GHz 帶寬內的寬帶...

2011-08-10 標簽：放大器寬帶 GaN 2174 0

瑞薩電子發表適用于CATV的GaN功率放大器模組MC-7802

先進半導體解決方案供應商瑞薩電子(Renesas Electronics)日前發表適用于1GHz有線電視(CATV)系統的氮化鎵(GaN)功率放大器模組...

2011-07-11 標簽：功率放大器 CATV GaN 1300 0

首款面向衛星通信應用的GaN HEMT MMIC高功率放大器(HPA)

科銳公司日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國際微波研討會上展出業界首款面向衛星通信應用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA)

2011-06-23 標簽：功率放大器衛星通信 GaN 2335 0

IMEC開發出最新的硅襯底芯片

IMEC與其合作伙伴共同開發了在200毫米硅芯片上生長GaN/AlGaN的技術,IMEC介紹了該技術可實現大尺寸生產和兼容性好的優勢

2011-06-08 標簽：IMEC GaN 襯底芯片 1321 0

田村制作所攜手光波開發出氧化鎵基板GaN類LED元

日本田村制作所與光波公司宣布，開發出了使用氧化鎵基板的GaN類LED元件，預計可在2011年度末上市該元件及氧化鎵(Ga2O3)基板

2011-03-29 標簽：光波 GaN 田村制作所 1135 0

RFMD高效率氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管(UPT)RF3

　　日前，高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者RF Micro Devices, Inc.宣布已通過并生產RF3932，這種無與倫...

2010-12-01 標簽：功率氮化鎵 GaN 1440 0

Si襯底設計的功率型GaN基LED制造技術

目前日本日亞公司壟斷了藍寶石襯底上GaN基LED專利技術，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術。因此，研發其他襯底上的GaN基LED...

2010-06-07 標簽：LED GaN 1562 0

基于GaN的功率技術引發電子轉換革命

基于GaN的功率技術引發電子轉換革命功率MOSFET出現之前，雙極性晶體管在功率電子領域一直占據主導地位，而且線性供電支配著整個電源世界。但是，30...

2010-04-13 標簽：功率 GaN 1471 0

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藍牙5是藍牙技術聯盟于2016年6月16日發布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術，可用于在家中快速傳輸大型文件。
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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區，是一家先進、專業的無晶圓半導體公司，致力于研發設計低功耗的 Wi-Fi 和藍牙系統級芯片，提供移動通訊和物聯網解決方案。
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LoRaWAN基于LoRa遠距離通信網絡設計的一套通訊協議和系統架構，如果按協議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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5G毫米波技術是5G應用中一項重要的基礎技術，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動頻率為30GHz-300GHz。相對于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時延和靈活彈性空口配置等獨特優勢，可滿足未來無線通信對系統容量、傳輸速率和差異化應用等方面的需求。
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