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      標簽　>　gan

      gan

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      文章：1687個 瀏覽：73774次 帖子：159個

      gan資訊

      美國一家GaN晶圓廠倒閉，總投資超過10億人民幣！

      近日，美國一家GaN企業宣布破產倒閉，該企業還有一個晶圓廠，總投資超過10億人民幣，而且該企業此前還宣布他們的GaN器件即將上主驅，倒閉原因是什么？

      2024-01-29 標簽：led照明晶圓氮化鎵 1075 0

      國產GaN迎來1700V突破！

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      該文獻進一步透露，實現這一器件所采用的氮化鎵外延材料結構包括：1.5μm薄層緩沖層和AlGaN/GaN異質結結構。

      2024-01-25 標簽：氮化鎵GaNGaN HEMT 470 0

      描繪未知：數據缺乏場景的缺陷檢測方案

      描繪未知：數據缺乏場景的缺陷檢測方案

      了解更多方案細節，歡迎您訪問官網（Neurocle | 友思特 機器視覺 光電檢測 ） 導讀 深度學習模型幫助工業生產實現更加精確的缺陷檢測，但其準確性...

      2024-01-25 標簽：機器視覺GaN缺陷檢測 597 0

      首個在6英寸藍寶石襯底上的1700V GaN HEMTs器件發布

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      近日，廣東致能科技團隊與西安電子科技大學廣州研究院/廣州第三代半導體創新中心郝躍院士、張進成教授團隊等等合作攻關，通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層...

      2024-01-25 標簽：半導體GaNHEMT器件 1181 0

      理論性能遠超SiC？GaN功率二極管的發展歷程

      電子發燒友網報道（文/梁浩斌）氮化鎵功率器件的大規模應用，是從2018年開始的。自手機快充功能在市場上迅速普及，經過數年的發展，氮化鎵HEMT器件早已被...

      2024-01-24 標簽：功率二極管功率器件SiC 3114 0

      基于第三代半導體射頻微系統芯片研究國家重點研發計劃項目啟動

      據云塔科技消息，1月15日，中國科學技術大學微電子學院孫海定教授牽頭的國家重點研發計劃“戰略性科技創新合作”重點專項“基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁異...

      2024-01-23 標簽：半導體氮化鎵GaN 1010 0

      港科大陳敬教授團隊成功研制一種融合GaN和SiC二者優點的實驗晶體管

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      在硅占據主導地位數十年后，兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經開始占領價值數十億美元的市場。例如，碳化硅現在是電動汽車逆變器和充電器的首選半導體。如...

      2024-01-19 標簽：晶體管SiCGaN 1420 0

      瑞薩宣布收購Transphorm，雙方已達成最終協議

      此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元（約合人民幣24.27億元）。此次收購將為瑞薩提供GaN（功率半導體的下一代關鍵材料）的內部技術。

      2024-01-19 標簽：瑞薩GaNTransphorm 351 0

      高性能、小體積，GaN在智能家居中開拓廣闊市場

      電子發燒友網報道（文/黃山明）隨著智能家居的發展，高效高性能的小體積電源越來越被市場青睞。想要將電源體積做得更小，但同時能夠保證最好的性能，氮化鎵（Ga...

      2024-01-19 標簽：智能家居氮化鎵GaN 3850 0

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      半導體資料丨氧化鋅、晶體硅/鈣鈦礦、表面化學蝕刻的 MOCVD GaN

      蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使...

      2024-02-02 標簽：半導體MOCVDGaN 703 0

      Micro LED業務增長顯著，IQE去年營收超10億

      　近年，IQE開始涉足Micro LED領域，IQE擁有豐富的MOCVD外延生長技術儲備及規模化生產的能力，可滿足制備微米級高亮Micro LED的需求。

      2024-01-18 標簽：MOCVDGaNMicro LED 452 0

      BluGlass完成對GaNWorks的收購

      來源：Semiconductor Today 澳大利亞Silverwater的BluGlass Ltd基于其專有的低溫、低氫遠程等離子體化學氣相沉積(R...

      2024-01-17 標簽：晶圓GaNBluGlass 375 0

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      瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領導者Transphorm宣布，雙方已達成最終收購協議。根據協議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Trans...

      2024-01-17 標簽：氮化鎵GaN瑞薩電子 706 0

      GaN巨頭NexGen Power Systems破產：垂直GaN市場面臨挑戰

      NexGen認為，將垂直氮化鎵逆變器驅動系統引入電動汽車市場可以幫助汽車制造商提高續航里程、減輕重量并提高系統可靠性。

      2024-01-17 標簽：逆變器驅動系統氮化鎵 759 0

      偉詮電布局GaN市場，有望打入瑞薩供應鏈

      偉詮電在氮化鎵（GaN）快充市場迎來了新的機遇，因為日本集成設備制造商（IDM）瑞薩公司近期宣布成功收購美國GaN廠商Transphorm。這對偉詮電來...

      2024-01-16 標簽：瑞薩GaN偉詮電子 805 0

      GaN微納結構及其光電子器件研究

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      氮化物半導體具有寬禁帶、可調，高光電轉化效率等優點，在紫外傳感器，功率器件，射頻電子器件，LED照明、顯示、深紫外殺菌消毒、激光器、存儲等領域具有廣闊的...

      2024-01-15 標簽：led照明探測器激光器 1495 0

      瑞薩24億收購Transphorm！

      此次收購將為瑞薩電子提供自主的GaN技術，從而將其業務范圍擴大到電動汽車、計算（數據中心、人工智能、基礎設施）、可再生能源、工業電力轉換等快速增長的市場。

      2024-01-15 標簽：電動汽車瑞薩氮化鎵 809 0

      GaN新技術可使散熱能力提高2倍以上

      近期，大阪公立大學的研究團隊成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上

      2024-01-15 標簽：晶體管氮化鎵GaN 892 0

      三安宣布進軍美洲市場，為市場提供SiC和GaN功率半導體產品

      1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半導體與其簽署了一項合作協議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產品在美洲的獨家銷售渠道，...

      2024-01-13 標簽：二極管MOSFETSiC 1508 0

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      Samsung 風華高科 WINBOND 長晶科技 晶導微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
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