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GaN HEMT有哪些優(yōu)缺點

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢，但同時也存在一些缺...

2024-08-15 標(biāo)簽：GaN 功率半導(dǎo)體 HEMT 1292 0

改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時間

在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關(guān)鍵參數(shù)，即短路耐受時間 (SCWT)。

2024-05-09 標(biāo)簽：功率器件 GaN HEMT 832 0

GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法

氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢，如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時，這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢，因為其無反向恢復(fù)...

2024-04-18 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN HEMT 1278 0

微波GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

報告內(nèi)容包含：微帶WBG MMIC工藝 GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長 GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

2023-12-14 標(biāo)簽：微波 GaN HEMT 462 0

氮化鎵器件介紹與仿真

本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。

2023-11-27 標(biāo)簽：二極管仿真氮化鎵 3397 0

深入了解 GaN 技術(shù)

2023-12-06 標(biāo)簽：柵極氮化鎵 GaN 6160 0

GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)解析

硅材料的功率半導(dǎo)體器件已被廣泛應(yīng)用于大功率開關(guān)中，如電源、電機控制、工廠自動化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導(dǎo)體器件都著重于減少功率損耗。在這些...

2023-11-09 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 1603 0

GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應(yīng)

由于GaN和AlGaN材料中擁有較強的極化效應(yīng)，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無需進(jìn)行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎(chǔ)上發(fā)展而...

2023-06-14 標(biāo)簽：晶體管 GaN HEMT 3017 0

GaN HEMT工藝全流程

GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 GaN 2829 0

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET最新進(jìn)展

近期，美國南卡羅來納大學(xué)報道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器晶體管 1073 0

GaN HEMT大信號模型

GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8...

2023-05-24 標(biāo)簽：功率放大器 GaN HEMT 2230 0

用于高分辨率激光雷達(dá)的氮化鎵HEMT電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

激光雷達(dá)（LiDAR）基于通過將光束照射到物體上并準(zhǔn)確測量反射的飛行時間來估算距離的原理。通過將發(fā)射光掃過真實世界的場景，可以收集三維信息以供計算機系統(tǒng)...

2023-05-06 標(biāo)簽：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)氮化鎵激光雷達(dá) 791 0

Si/SiC和GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)比較！

碳化硅（SiC）技術(shù)改進(jìn)了各種應(yīng)用中的多個系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比，碳化硅通過更快的開關(guān)、在整個溫度范圍內(nèi)的平坦RDS（on）和更好的體二極管性能表現(xiàn)...

2023-02-24 標(biāo)簽：晶體管 SiC GaN 1295 0

GaN HEMT外延材料表征技術(shù)研究進(jìn)展

氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高擊穿電場強度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...

2023-02-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 1666 0

AlN鈍化器件電流崩塌分析

本研究采用PEALD沉積AlN材料作柵絕緣層的同時，利用其作為器件表面鈍化層材料，本節(jié)即采用脈沖測試方法研究了PEALD沉積AlN鈍化器件的電流崩塌特性...

2023-02-14 標(biāo)簽：微波 GaN HEMT 1393 0

AlN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件制作

絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示， AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍(lán)寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫A...

2023-02-14 標(biāo)簽：歐姆 GaN HEMT 3103 0

AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件直流特性

關(guān)態(tài)漏電是制約HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用絕緣柵HEMT器件結(jié)構(gòu)可以有效減小器件關(guān)態(tài)漏電。圖1給出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-...

2023-02-14 標(biāo)簽：晶體管 GaN HEMT 4220 0

AIN/AIGaN/GaN MIS異質(zhì)結(jié)構(gòu)C-V分析

C-V測試是研究絕緣柵HEMT器件性能的重要方法，采用Keithley 4200半導(dǎo)體表征系統(tǒng)的CVU模塊測量了肖特基柵和絕緣柵異質(zhì)結(jié)構(gòu)的C-V特性。

2023-02-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS HEMT 2799 0

Al2O3/AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件結(jié)構(gòu)與特性

通過AlN柵介質(zhì)層MIS-HEMT和Al2O3柵介質(zhì)層MOS-HEMT器件對比研究發(fā)現(xiàn)，PEALD沉積AlN柵絕緣層可以大幅改善絕緣柵器件的界面和溝道輸...

2023-02-14 標(biāo)簽：微波 SiC HEMT 2717 0

絕緣柵HEMT器件界面固定電荷分析

由于界面固定電荷沒有充放電效應(yīng)，所以利用回滯曲線或變頻方法無法提供界面固定電荷信息，平帶電壓VFB漂移是常用的用于計算界面固定電荷的方法。本文首先結(jié)合能...

2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 GaN HEMT 2529 0

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加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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盡管最初傅里葉分析是作為熱過程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征。“任意”的函數(shù)通過一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對簡單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
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