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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2814個 瀏覽：249001次 帖子：479個

      igbt技術

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      IGBT在電力電子中的關鍵作用在當今的電力電子技術中，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）已成為不可或缺的核心組件。這種器件以其出色的性能，在變頻器、電動汽車、...

      2024-12-26 標簽：功率轉換IGBT光耦 88 0

      真空回流焊爐/真空焊接爐——IGBT失效分析

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      對于IGBT來說，無法簡單直觀地判斷實時的損耗程度，因此需要提前預測使用壽命，了解失效原因并加以預防。

      2024-12-23 標簽：IGBT失效分析回流焊 203 0

      為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位

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      各位小伙伴，不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒鉗位？為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位？》后反響熱烈，很多朋友留言詢問課件...

      2024-12-19 標簽：MOSFETIGBT功率器件 764 0

      安森美兩大最新功率模塊系列解讀

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      安森美（onsemi）在2024年先后推出兩款超強功率半導體模塊新貴，IGBT模塊系列——SPM31IPM，QDual3。值得注意的是，背后都提到采用了...

      2024-12-19 標簽：安森美IGBT功率模塊 141 0

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      2024-12-16 標簽：二極管驅動器IGBT 421 0

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      IGBT模塊是由IGBT芯片(絕緣柵雙極晶體管)和FWD芯片(續流二極管芯片)通過特定的電路橋封裝而成的模塊化半導體產品。由于其節能、安裝維護方便、散熱...

      2024-12-13 標簽：二極管模塊IGBT 151 0

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      2024-12-12 標簽：mcu轉換器東芝 314 0

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      本文介紹了硬件工程師入門的基礎元器件，包括二極管、三極管、MOS管和IGBT。對比了肖特基二極管與硅二極管的特性，探討了三極管作為開關的應用和電阻選擇方...

      2024-12-10 標簽：三極管二極管MOS管 568 0

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      各種拓撲對IGBT驅動器的要求各不相同，比如： 兩電平拓撲通常要求短路保護和過壓保護即可。常用的短路保護方法又叫VCEsat或退保護監控；過壓保護一般采...

      2024-12-09 標簽：驅動器IGBT 222 0

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      所謂分立器件，顧名思義就是由單個電子器件組成的電路元器件，它包括二極管、橋堆。三極管以及MOS管、IGBT、電源IC等產品，作用包括整流、開關、小信號放...

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