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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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什么是IGBT?如何使用此模塊實(shí)現(xiàn)“雙面水冷”,IGNT未來的發(fā)展趨勢又是如何?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管...
更高性能!更低成本!青銅劍科技力推新能源車用IGBT驅(qū)動(dòng)系列方案
一、 概 述 近年來,在國家政策支持下,新能源汽車行業(yè)發(fā)展迅猛。根據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會(huì)公布的數(shù)據(jù),2017年1-11月,新能源汽車產(chǎn)銷分別完成63.9萬輛...
IGBT應(yīng)用中的換流方式 IGBT上下橋短路的原因
IGBT在應(yīng)用中的換流方式主要有三種,即半橋換流、全橋換流和三相換流。
MOSFET,IGBT和三極管的優(yōu)缺點(diǎn)分析(視頻分析)
設(shè)計(jì)開關(guān)電源要選擇合適的元器件,元器件多種多樣,要如何選,元器件的優(yōu)缺點(diǎn)都是怎么樣的就是本節(jié)課程要跟大家講解的。
2019-04-25 標(biāo)簽:三極管MOSFET開關(guān)電源 1.1萬 0
淺談高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——ACPL-337J
ACPL-337J是一款先進(jìn)的高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器,旨在隔離,驅(qū)動(dòng),保護(hù)和反饋IGBT的工作狀態(tài)。 它具有軌到軌輸出,可以提供4A的最大電流,能...
采用IGBT器件的電壓源逆變器應(yīng)用時(shí)如何避免橋臂直通
本文給出了控制死區(qū)時(shí)間的計(jì)算方法,闡述了開關(guān)時(shí)間的影響因素,并且介紹了減小死區(qū)時(shí)間的方法。
1、P型和N型半導(dǎo)體:本征半導(dǎo)體摻雜三價(jià)元素,根據(jù)高中學(xué)的化學(xué)鍵穩(wěn)定性原理,會(huì)有“空穴”容易導(dǎo)電,因此,這里空穴是“多子”即多數(shù)載流子,摻雜類型為P(p...
IGBT集-射極之間的瞬時(shí)過壓會(huì)對IGBT造成損壞,筆者采用箝位式吸收電路對瞬時(shí)過電壓進(jìn)行抑制。
2019-09-30 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路 1.0萬 0
總結(jié)一下,對于米勒電流引起的寄生導(dǎo)通,在0V關(guān)斷的情況下,可以使用米勒鉗位來抑制。當(dāng)出現(xiàn)非米勒電流引起的寄生導(dǎo)通時(shí),如果不想減慢開關(guān)速度增加損耗的話,加...
通常情況下,為了防止出現(xiàn)寄生IGBT通道的情況發(fā)生,國內(nèi)通常有兩種解決辦法。第一個(gè)辦法是為配置添加門極和發(fā)射極之間的電容,第二是通過使用負(fù)門極驅(qū)動(dòng)。如果...
2018-05-22 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT米勒電容 1.0萬 0
推薦一款優(yōu)質(zhì)的IGBT單管來應(yīng)用于電焊機(jī)中
電焊機(jī)在工業(yè)加工領(lǐng)域的應(yīng)用是非常廣泛的,其品類就有直流電焊機(jī)、氬弧焊機(jī)、交流弧焊機(jī)、二氧化碳保護(hù)焊機(jī)、對焊機(jī)、點(diǎn)焊機(jī)等等。
辯證分析MOSFET與IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用區(qū)別
這種延遲引起了類飽和 (Quasi-saturation) 效應(yīng),使集電極/發(fā)射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值。這種效應(yīng)也導(dǎo)致了在ZVS情況下...
分布式能源與充電站一體化解決辦法分析以及共直流母線IGBT充電集如何助力
但是,分布式能源和汽車充電站一體化發(fā)展的傳統(tǒng)實(shí)現(xiàn)方式還具備單向傳遞、能源逆變損耗大、效率低等劣勢。為此,深圳市安和威電力科技股份有限公司推出了“光儲(chǔ)充”...
本文首先介紹了IGBT的概念與結(jié)構(gòu),其次對IGB模塊原理電路進(jìn)行了分析以及介紹了變頻器IGBT模塊常見故障處理,最后介紹了變頻器IGBT模塊檢測方法以及...
功率晶體管的電壓/電流都選得足夠大,除了注意自己的人身安全,一般不用擔(dān)心功率晶體管會(huì)損壞。但是在實(shí)際產(chǎn)品實(shí)驗(yàn)中,功率晶體管技術(shù)規(guī)格的裕量不可能選得這么大...
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。
2019-01-16 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT 9700 0
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