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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1238人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：2840個 瀏覽：249571次 帖子：479個

      igbt技術(shù)

      T型三電平雙脈沖測試及拓撲結(jié)構(gòu)

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      雙脈沖測試系統(tǒng)：該系統(tǒng)用于產(chǎn)生所需的雙脈沖信號，以模擬實際工作中的開關(guān)動作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率，以滿足測試需求。

      2024-03-11 標簽：測試系統(tǒng)IGBT功率器件 3128 0

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      雙脈沖測試是電力變壓器和互感器的一種常見測試方法，其主要目的是評估設(shè)備的性能和準確性，確保其符合設(shè)計要求和運行標準。

      2024-03-11 標簽：電力變壓器IGBT功率器件 3251 0

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      電化隔離：電荷無法由一個電路移動到另一個電路，雙方信號通過其他方式交換信息。

      2024-03-08 標簽：電機控制IGBT續(xù)流二極管 1.7萬 0

      一文詳解雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關(guān)特性的影響

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      IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。

      2024-03-08 標簽：IGBT功率模塊碳化硅 1928 0

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      根據(jù) IGBT 熱傳導(dǎo)示意圖所示，芯片內(nèi)損耗產(chǎn)生的熱能通過芯片傳到外殼底座，再由外殼將少量的熱量直接傳到環(huán)境中去（以對流和輻射的形式），而大部分熱量通過...

      2024-03-06 標簽：散熱器散熱片IGBT 1098 0

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      為了確保系統(tǒng)可行、正常運行和優(yōu)化，我們使用不同的散熱器，將 IGBT 散熱器尺寸從 0.8 L 增大到 1.37 L，并將碳化硅散熱器尺寸減小 61%，...

      2024-03-06 標簽：逆變器散熱器IGBT 334 0

      半導(dǎo)體設(shè)計面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計挑戰(zhàn)如何破？

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      基于開關(guān)電力電子器件的轉(zhuǎn)換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動汽車的關(guān)鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關(guān)系統(tǒng)中，但前者的柵極驅(qū)動功率較低、開...

      2024-03-01 標簽：電動汽車MOSFET逆變器 387 0

      IGBT驅(qū)動電路過流保護的分類及其檢測方法

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      IGBT的過流保護電路可分為兩類：一類是低倍數(shù)(1.2-1.5倍)的過載保護；另一類是高倍數(shù)（可達8-10倍）的短路保護。

      2024-03-01 標簽：過流保護IGBT驅(qū)動電路 1.8萬 0

      igbt能直接代替可控硅嗎 IGBT直接代替可控硅會有什么影響？

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      可控硅具有優(yōu)秀的反向阻斷能力，適用于需要在極短時間內(nèi)承受較高反向電壓沖擊的場合。而IGBT的反向阻斷能力相對較弱，不適用于這種高反向電壓沖擊的場合。

      2024-02-29 標簽：可控硅變頻器逆變器 3634 0

      淺談門級驅(qū)動電壓對IGBT性能的影響

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      絕緣門極雙極型晶體管（IGBT）是復(fù)合了功率場效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件，具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單、飽...

      2024-02-27 標簽：MOSFET驅(qū)動IGBT 1062 0

      絕緣柵雙極晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

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      絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種功率半導(dǎo)體，具有MOSFET 的高速、電壓相關(guān)柵極...

      2024-02-27 標簽：MOSFETIGBT晶體管 2630 0

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      關(guān)斷IGBT時由于電感中儲存有能量，集電極-發(fā)射極間會發(fā)生浪涌電壓。

      2024-02-26 標簽：電容器二極管IGBT 2.0萬 0

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      上一篇我們分析了《I-NPC三電平電路的雙脈沖與短路測試方法》，對于T-NPC拓撲來說也是類似的，我們接著來看。1T-NPC三電平電路的換流方式與雙脈沖...

      2024-02-26 標簽：IGBT短路測試三電平 1579 0

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      雙脈沖測試（Double Pulse Test， DPT）是一種測試方法，常用于評估和分析電力系統(tǒng)、電子設(shè)備、組件以及半導(dǎo)體器件的電氣特性。這種測試通過...

      2024-02-23 標簽：測試半導(dǎo)體IGBT 8433 0

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      電機控制器工作原理：電機控制器就2個功能：逆變+控制，逆變是指將直流電逆變?yōu)轭l率、大小可調(diào)的交流電，然后根據(jù)VCU信號、各路傳感器信號控制電機轉(zhuǎn)速。

      2024-02-23 標簽：mcuIGBT電機控制器 2199 0

      IGBT IPM的優(yōu)點有哪些

      IGBT IPM結(jié)合了IGBT的高效能和高電流承載能力以及IPM的智能化控制與保護特性，其優(yōu)點可以總結(jié)如下： 集成度高： IGBT IPM將多個IGBT...

      2024-02-23 標簽：元器件IGBTIPM 788 0

      什么是IGBT IPM 有什么特點

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      IPM代表“Intelligent Power Module”，它是一種集合了IGBT、MOSFET等分立的功率半導(dǎo)體器件，以及它們的驅(qū)動電路和保護電路...

      2024-02-23 標簽：IGBTIPM功率元器件 1359 0

      IGBT典型過流保護電路設(shè)計分享

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      所謂集中過電流保護，就是檢測逆變橋輸入直流母線上的電流，當該電流值超過設(shè)定的閾值時，封鎖所有橋臂IGBT的驅(qū)動信號。

      2024-02-23 標簽：IGBT光電耦合器過流保護電路 1.6萬 0

      IGBT場效應(yīng)管的工作原理 IGBT場效應(yīng)管的選擇方法

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      IGBT，即絕緣柵雙極晶體管，是一種高效能的半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的特性。

      2024-02-22 標簽：MOSFETIGBT電源電壓 1.6萬 0

      IGBT模塊理論研究：IGBT三相逆變電路分析

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      芯片結(jié)溫計算，需要獲取芯片的損耗，損耗的準確性，決定了計算芯片結(jié)溫的準確性。

      2024-02-22 標簽：IGBTSPWM三相逆變 2868 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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      • 光立方
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        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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      • LM2596
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        LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器，能夠輸出3A的驅(qū)動電流，同時具有很好的線性和負載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V，可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
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        光模塊
        +關(guān)注
        光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號，通過光纖傳送后，接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
      • STM32單片機
        STM32單片機
        +關(guān)注
        STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計的ARM Cortex-M3內(nèi)核
      • 步進驅(qū)動器
        步進驅(qū)動器
        +關(guān)注
        步進驅(qū)動器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機構(gòu)。當步進驅(qū)動器接收到一個脈沖信號，它就驅(qū)動步進電機按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動一個固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運行的。可以通過控制脈沖個數(shù)來控制角位移量，從而達到準確定位的目的；同時可以通過控制脈沖頻率來控制電機轉(zhuǎn)動的速度和加速度，從而達到調(diào)速和定位的目的。
      • Nexperia
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        +關(guān)注
        Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個電子設(shè)計都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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        +關(guān)注
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      • SDK
        SDK
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        OBD
        +關(guān)注
        OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個系統(tǒng)隨時監(jiān)控發(fā)動機的運行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標的情況，會馬上發(fā)出警示。
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