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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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在當(dāng)今的半導(dǎo)體市場,公司成功的兩個重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的,可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)品預(yù)期壽命內(nèi)的長期質(zhì)量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營,...
由于門極-發(fā)射極連線電感LG、RG、還有Cies之間的關(guān)系,如果在門極驅(qū)動環(huán)路內(nèi)發(fā)生震蕩,有可能因?yàn)檎`動作和不飽和動作而導(dǎo)致元件損壞。
詳細(xì)介紹變頻器假負(fù)載的原理、應(yīng)用和注意事項(xiàng)
在變頻器的應(yīng)用中,假負(fù)載是一種重要的輔助設(shè)備,主要用于測試和保護(hù)變頻器模塊。本文將詳細(xì)介紹變頻器假負(fù)載的原理、應(yīng)用和注意事項(xiàng)。
詳解IGBT的驅(qū)動電路及短路保護(hù)設(shè)計
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度...
igbt驅(qū)動電路工作原理 igbt驅(qū)動電路和場效管驅(qū)動區(qū)別
IGBT驅(qū)動電路工作原理: IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種特殊的雙極晶體管,結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和普通雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了絕緣柵場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型晶體...
2024-01-22 標(biāo)簽:IGBT場效應(yīng)晶體管工業(yè)控制 1244 0
這是絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的實(shí)用指南。您將從實(shí)際的角度學(xué)習(xí)如何使用它——而無需深入研究它內(nèi)部的物理外觀。IGBT通常被描述為復(fù)雜而先進(jìn)的東西。但...
IGBT模塊的運(yùn)行溫度范圍是非常重要的參數(shù)。一些設(shè)備要求工作在室溫下,而另一些設(shè)備要求工作在很寬的溫度范圍內(nèi)(如-40℃~+65℃)。溫度和散熱對于系統(tǒng)...
摘要:隨著人們環(huán)保意識的不斷提高,傳統(tǒng)的化石能源越來越無法滿足人們的要求,以太陽能為代表的可再生新能源逐漸引起人們的關(guān)注。而并網(wǎng)逆變器作為新能源與電網(wǎng)連...
在當(dāng)今的半導(dǎo)體市場,公司成功的兩個重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的,可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)品預(yù)期壽命內(nèi)的長期質(zhì)量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營,...
用于確定漏電流的穩(wěn)定性,這與IGBT的場畸變有關(guān)。HTRB 通過高溫反向偏置測試來增強(qiáng)故障機(jī)制,因此是器件質(zhì)量和可靠性的良好指標(biāo),也可以驗(yàn)證過程控制的有效性。
光伏逆變器的分類、構(gòu)成及保護(hù)技術(shù)
自20世紀(jì)70年代全球爆發(fā)石油危機(jī)以來,太陽能光伏發(fā)電技術(shù)引起了各國高度重視,光伏行業(yè)在全球迅速發(fā)展,經(jīng)過多年的研究和技術(shù)開發(fā),太陽能光伏組件價格已大幅...
IGBT元件的損耗總和分為:通態(tài)損耗與開關(guān)損耗。開關(guān)損耗分別為開通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻IGBT續(xù)流二極管 3167 0
嚴(yán)重影響變頻器的正常運(yùn)行。逆變器的核心器件都是IGBT功率半導(dǎo)體開關(guān)元件。
2024-01-11 標(biāo)簽:變頻器IGBT功率半導(dǎo)體 1468 0
igbt內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理分析
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗和GTR(大功率晶體管)的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)...
2024-01-10 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 1968 0
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