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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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igbt軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)的區(qū)別
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種電力開(kāi)關(guān)裝置,常被用于控制大電流和高電壓的電力設(shè)備。IGBT軟開(kāi)關(guān)和...
2023-12-21 標(biāo)簽:電力設(shè)備IGBT軟開(kāi)關(guān) 3250 0
IGBT工作時(shí)序及門(mén)極驅(qū)動(dòng)計(jì)算方法
本篇文章簡(jiǎn)單介紹IGBT工作時(shí)序及門(mén)極驅(qū)動(dòng)計(jì)算方法,引入大電流驅(qū)動(dòng)IC以及門(mén)極保護(hù)TVS,同時(shí)羅列了不同品牌碳化硅MOSFET所耐受驅(qū)動(dòng)電壓,借此介紹非...
歡迎了解 張浩亮?方杰?徐凝華 (株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司?新型功率半導(dǎo)體器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室) 摘要: 主要研究了應(yīng)用于?IGBT?模塊封裝中的銀燒結(jié)...
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 和二極管是電子設(shè)備中常見(jiàn)的兩種功率開(kāi)關(guān)器件。它們?cè)谠S多應(yīng)用中起著關(guān)鍵作...
igbt和mos管怎么區(qū)分 igbt和mos管能互換嗎
igbt和mos管怎么區(qū)分 IGBT和MOS管是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件,用途廣泛,在各種電子設(shè)備中都會(huì)使用。雖然它們有一些相似之處,但也存在一些顯著的...
龍騰半導(dǎo)體MOSFET和IGBT在戶用光伏儲(chǔ)能上的應(yīng)用
戶用儲(chǔ)能,也被稱為家庭儲(chǔ)能,是一種將分布式光伏與家庭儲(chǔ)能相結(jié)合的能源系統(tǒng)。該系統(tǒng)利用太陽(yáng)能發(fā)電設(shè)備為家庭提供電力,并將多余的電能儲(chǔ)存起來(lái),供給電網(wǎng)或供家庭使用。
2023-12-18 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體太陽(yáng)能發(fā)電 1568 0
功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模分析和應(yīng)用領(lǐng)域
功率器件包括二極管、晶體管和晶閘管三大類,其中晶體管市場(chǎng)份額最大,常見(jiàn)的晶體管主要包括MOSFET、IGBT、BJT等。功率 IC是指將高壓功率器件與其...
SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里
在我們的傳統(tǒng)印象中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開(kāi)關(guān)器件,而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特...
2023-12-16 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 667 0
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的演變(IGBT/SiC/GaN)
報(bào)告內(nèi)容包含: 效率和功率密度推動(dòng)變革 基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能 驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT(絕緣柵雙極晶體管) 驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 ...
變流器主電路在空間產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度隨輸入、輸出母線中通過(guò)電流的強(qiáng)弱而變化,同時(shí)IGBT模塊產(chǎn)生的空間交變電磁場(chǎng)的強(qiáng)度隨其兩端電壓和電流突變的劇烈程度而變化...
MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件。它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景中具有不同的特點(diǎn)和優(yōu)...
2023-12-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1546 0
IGBT頭部公司紛紛擴(kuò)產(chǎn) 中國(guó)有哪些優(yōu)秀的IGBT廠商
隨著新能源的爆火,IGBT缺貨成了近年來(lái)的“家常便飯”。根據(jù)富昌電子的數(shù)據(jù),目前英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體等IGBT國(guó)際大廠的訂單整體處于相對(duì)飽滿的狀態(tài)...
什么是IGCT?什么是IGBT??jī)烧哂泻螀^(qū)別與聯(lián)系
IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor),中文名稱:集成門(mén)極換流晶閘管。
Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對(duì)比研究
摘 要:針對(duì)Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問(wèn)題,給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法,并提供了具體的估算公式。以30k...
開(kāi)關(guān)管的工作原理 開(kāi)關(guān)管怎么檢測(cè)好壞
開(kāi)關(guān)管是一種能夠在導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)之間快速切換的半導(dǎo)體器件,通常用于電源開(kāi)關(guān)、半橋/全橋驅(qū)動(dòng)電路、PWM調(diào)制等電子產(chǎn)品中。常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)管有MOS管、IGBT管等。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)漏電流增加的原因有多種,以下是對(duì)這些原因的分析: 正向電壓的增加 :當(dāng)IGBT的控制極壓加上一定的電壓時(shí),例如正向電壓,漏結(jié)...
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的,目前大部分都不承諾短路能力,有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊(cè)上標(biāo)明短路能力的幾家,也通常把短路耐受時(shí)間(SCWT:shor...
什么是IGBT?IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和相關(guān)工藝
IGBT是英文Isolated Gate BipolarTransistor的簡(jiǎn)稱,中文稱作絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT (雙極型三極管) 和MOS ...
2023-12-12 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 2736 0
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