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      標簽　>　igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2835個 瀏覽：249481次 帖子：479個

      igbt技術

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      2022-07-04 標簽：功率放大電路IGBT 5258 0

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      超軟IGBT續流二極管具備行業領先的低損耗特性

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      2021-05-27 標簽：驅動器開關電源PWM 5225 0

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      SiC作為寬禁帶半導體材料，與Si相比具有擊穿場強高、導熱系數高、載流能力大、開關速度快、可高溫工作等優點，適用于高壓、高溫、高頻等領域的應用。

      2018-05-17 標簽：IGBTSiC 5082 0

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      Littelfuse公司是全球電路保護領域的領先企業，已擴充其專為電機控制和逆變器應用設計的IGBT模塊功率半導體產品。 IGBT功率模塊提供廣泛的包裝...

      2018-09-05 標簽：模塊電機控制逆變器 5078 0

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