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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT全稱(chēng)叫做絕緣柵雙極型晶體管,實(shí)際上就是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管和雙極型晶體管結(jié)合到一起,一種非常簡(jiǎn)單樸素的結(jié)構(gòu)創(chuàng)新,卻讓器件性質(zhì)發(fā)生了質(zhì)的變化,是科技創(chuàng)新...
推薦一款優(yōu)質(zhì)的IGBT單管來(lái)應(yīng)用于電焊機(jī)中
電焊機(jī)在工業(yè)加工領(lǐng)域的應(yīng)用是非常廣泛的,其品類(lèi)就有直流電焊機(jī)、氬弧焊機(jī)、交流弧焊機(jī)、二氧化碳保護(hù)焊機(jī)、對(duì)焊機(jī)、點(diǎn)焊機(jī)等等。
怎么選擇一款優(yōu)質(zhì)的IGBT單管應(yīng)用于UPS的全橋IGBT逆變電路中?
UPS已經(jīng)作為很多大型展會(huì)的應(yīng)急電源來(lái)使用,就在11月21日綿陽(yáng)科博會(huì)的配電室正安裝了UPS作為應(yīng)急電源。
IGBT 是應(yīng)用最廣泛的可控功率電子開(kāi)關(guān),一個(gè)200A 1200V的IGBT4芯片只有指甲大小。你能想象嗎?它可以每個(gè)周期快速關(guān)斷600安培的電流,電流...
請(qǐng)教下THT通孔IGBT器件焊接起始面和焊接終止面相反焊接是否有影響
各位老師,請(qǐng)教下THT通孔 IGBT器件,焊接起始面和焊接終止面焊盤(pán)尺寸形狀完全相同,因焊接起始面有元件干涉,改為從焊接終止面開(kāi)始焊接,通孔爬錫高度10...
RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機(jī)理及改進(jìn)結(jié)構(gòu)介紹
IGBT同時(shí)集MOSFET易驅(qū)動(dòng)和BJT大電流兩個(gè)顯著特點(diǎn)于一身,因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車(chē)這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。
如何利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置?
利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路,改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置,即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管(下文簡(jiǎn)稱(chēng)FRD)的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。
IGBT雙脈沖測(cè)試的測(cè)量參數(shù)及波形分析
通過(guò)雙脈沖測(cè)試,可以得到IGBT的各項(xiàng)開(kāi)關(guān)參數(shù)。
2023-11-24 標(biāo)簽:IGBT直流母線(xiàn)脈沖測(cè)試 1.1萬(wàn) 0
IGBT雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)原理及電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
通常我們對(duì)某款I(lǐng)GBT的認(rèn)識(shí)主要是通過(guò)閱讀相應(yīng)的datasheet,數(shù)據(jù)手冊(cè)中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來(lái)的,而實(shí)際應(yīng)用中的外部...
為什么說(shuō)IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件?它們有何區(qū)別和聯(lián)系?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)...
IGCT和IGBT是兩種不同的電力電子器件,它們?cè)趹?yīng)用、特性、結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)等方面存在一些差異。下面將詳細(xì)介紹IGCT和IGBT的區(qū)別。 工作原理:IGCT...
IGBT全稱(chēng)為絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管(BJT)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
SIC比SI有什么優(yōu)勢(shì)?碳化硅優(yōu)勢(shì)的實(shí)際應(yīng)用
SiC的導(dǎo)熱性大約是Si的三倍,并且將其他特性的所有優(yōu)點(diǎn)結(jié)合在一起。導(dǎo)熱率是指熱量從半導(dǎo)體結(jié)傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達(dá)200°C...
2023-11-23 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)逆變器IGBT 2347 0
IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試
IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試
2023-12-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT伺服驅(qū)動(dòng)器 758 0
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