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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2835個 瀏覽：249482次 帖子：479個

      igbt技術

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      2023-02-22 標簽：半導體IGBT晶體管 4370 0

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      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應用于電力電子領域的功率半導體器件。它結合了MOSFET和雙極型晶體管（BJT）的優點，具有高輸入阻抗、低導通壓降...

      2024-07-25 標簽：IGBT電力電子振蕩 4365 0

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      可控硅：能夠被低功率的控制信號打開，但只能由主電路（功率電路）自身來關斷而不能被控制信號關斷，因此又被稱為半可控開關。

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      IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種重要的功率電子器件，廣泛應用于各種高壓高電流的電力電子設備中。IGB...

      2024-03-12 標簽：IGBT參數電子器件 4329 0

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      IGBT功率模塊是指采用lC驅動，利用最新的封裝技術將IGBT與驅動電路、控制電路和保護電路高度集成在一起的模塊。其類別從復合功率模塊PIM發展到智能功...

      2023-02-22 標簽：封裝技術IGBT功率模塊 4320 0

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      絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 是雙極型晶體管(BJT) 和場效應晶體管(MOSFET) 的復合器件,IGBT將BJT的電導調制效應引入到VDMOS 的...

      2023-05-25 標簽：MOSFETIGBT晶體管 4310 0

      柵極電感對驅動電流的影響

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      驅動設計時需要選取合適的驅動電流，太小驅動能力不足，增加功率器件損耗，太大可能引起開通振蕩。

      2022-05-01 標簽：IGBT功率器件驅動電流 4302 0

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      在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅動，控制簡單、開關頻率高的優點，...

      2013-01-23 標簽：UPSIGBT不間斷電源 4224 1

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      　MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。主要優點是熱穩定性好、安全工作區大，缺點是擊穿電壓低，工作電流小。

      2023-02-22 標簽：MOSFET變頻器IGBT 4197 0

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      2023-07-07 標簽：二極管永磁同步電機逆變器 4196 0

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      IGBT的電流是器件基本參數之一，顯而易見FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。

      2023-02-07 標簽：電流IGBT參數 4192 0

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