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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

碳化硅相對于硅的優(yōu)勢

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在逆變器、電機(jī)驅(qū)動器和電池充電器等應(yīng)用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。

2023-11-07 標(biāo)簽:驅(qū)動器逆變器IGBT 1406 0

大功率電力電子器件散熱研究綜述

大功率電力電子器件散熱研究綜述

針對現(xiàn)階段制約電力電子技術(shù)發(fā)展的散熱問題,以溫度對電力電子器件的影響、電力電子設(shè)備熱設(shè)計特點(diǎn)、常見散熱技術(shù)、散熱系統(tǒng)優(yōu)化研究和新材料在電力電子散熱研究中...

2023-11-07 標(biāo)簽:大功率電力電子器件IGBT 2349 0

集成式電機(jī)控制器的電氣設(shè)計方案

集成式電機(jī)控制器的電氣設(shè)計方案

電機(jī)控制器由于原來通過逆變橋調(diào)制輸出正弦波來驅(qū)動電機(jī)的設(shè)備,變成了多種功能的集合體。集成式電機(jī)控制器包括:①配電回路:為集成控制器各部分提供配電,如TM...

2023-11-06 標(biāo)簽:mcu控制器IGBT 1554 0

什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點(diǎn)

什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點(diǎn)

在實際應(yīng)用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。

2023-11-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管IGBT 1700 0

變頻器IGBT頻繁損壞的原因及解決方案

變頻器IGBT頻繁損壞的原因及解決方案

在工業(yè)生產(chǎn)過程中,變頻器是一種常見的電力設(shè)備,其穩(wěn)定性和可靠性對生產(chǎn)過程至關(guān)重要。然而,在實際使用過程中,我們可能會遇到變頻器的IGBT頻繁損壞的問題。...

2023-11-05 標(biāo)簽:開關(guān)電源變頻器電力設(shè)備 2256 0

典型雙變換UPS的電壓變換原理簡析

典型雙變換UPS的電壓變換原理簡析

UPS是如何把市電的380V交流電變換成逆變器輸出的380V交流電,并在這一變換過程中保持輸出電壓基本不變,是很多數(shù)據(jù)中心UPS用戶經(jīng)常疑惑的問題。

2023-11-04 標(biāo)簽:UPS逆變器IGBT 4018 0

關(guān)于MOS管、IGBT米勒平臺的分析

關(guān)于MOS管、IGBT米勒平臺的分析

米勒平臺的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān),當(dāng)GE之間電壓大于閾值點(diǎn)的時候,管子的CE電壓開始下降,但是下降的速度十分緩慢

2023-11-03 標(biāo)簽:MOS管IGBT驅(qū)動電流 9150 0

MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用

MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用

MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。

2023-11-03 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源整流器 1083 0

為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象?

為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象?

這是某產(chǎn)品輸出特性曲線,可以看到IGBT工作區(qū)分為三個部分。

2023-11-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBTMOS 4588 0

常見的幾種功率半導(dǎo)體器件介紹

半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。

2023-11-02 標(biāo)簽:MOSFET晶閘管IGBT 2084 0

如何減小變頻器運(yùn)行對電機(jī)繞組絕緣的影響?

如何減小變頻器運(yùn)行對電機(jī)繞組絕緣的影響?

在接下來的推文中將給大家介紹由變頻器,連接電纜及電機(jī)構(gòu)成的驅(qū)動系統(tǒng)中如何減小變頻器運(yùn)行對電機(jī)繞組絕緣的影響,提高系統(tǒng)運(yùn)行可靠性的相關(guān)措施。

2023-11-01 標(biāo)簽:變頻器逆變器IGBT 1735 0

新能源汽車充電樁交/直流充電原理分析

新能源汽車充電樁交/直流充電原理分析

直流充電樁基本構(gòu)成包括:功率單元、控制單元、計量單元、充電接口、供電接口及人機(jī)交互界面等。功率單元是指直流充電模塊,控制單元是指充電樁控制器。

2023-11-01 標(biāo)簽:電動汽車IGBTMOS 2837 0

什么是IGBT?IGBT模塊封裝的痛點(diǎn)與難點(diǎn)

IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件,已廣泛應(yīng)用于多個產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞,制造商在IGBT模塊焊接裝配過程...

2023-10-31 標(biāo)簽:三極管封裝IGBT 3174 0

功率半導(dǎo)體器件知識匯總

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電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...

2023-10-28 標(biāo)簽:MOSFET晶閘管IGBT 869 0

碳化硅和IGBT器件的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢

本文探討了碳化硅和IGBT器件在未來的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢,以及如何通過技術(shù)創(chuàng)新和優(yōu)化來滿足不同應(yīng)用的需求。其中,英飛凌作為國際品牌的代表,其第四代產(chǎn)品已...

2023-10-28 標(biāo)簽:IGBT功率器件工業(yè)電源 1763 0

龍騰半導(dǎo)體MOS和IGBT在充電樁上的應(yīng)用

龍騰半導(dǎo)體MOS和IGBT在充電樁上的應(yīng)用

充電樁是指為電動汽車提供能量補(bǔ)充的充電裝置,其功能類似于加油站里面的加油機(jī),可以固定在地面或墻壁,安裝于公共建筑(公共樓宇、商場、公共停車場等)和居民小...

2023-10-28 標(biāo)簽:電動汽車MOSFET半導(dǎo)體 1596 0

安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動應(yīng)用

安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動應(yīng)用

近年來,我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸,為此國家投入大量資金支持節(jié)能降耗項目,變頻調(diào)速技術(shù)已越來越...

2023-10-27 標(biāo)簽:IGBT晶體管馬達(dá) 449 0

功率半導(dǎo)體器件:IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別

功率半導(dǎo)體器件:IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別

IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module)是一種集成了多個IGBT芯片、驅(qū)動電路、保護(hù)電路等功能的...

2023-10-27 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率模塊 5701 0

茂睿芯MD18011X單通道隔離型柵極驅(qū)動器簡介

茂睿芯MD18011X單通道隔離型柵極驅(qū)動器簡介

MD18011X,光耦兼容的單通道隔離型柵極驅(qū)動器系列,是茂睿芯功率驅(qū)動產(chǎn)品推出的新型產(chǎn)品系列,可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、光伏逆變器、伺服、變頻器等系統(tǒng)。它...

2023-10-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動器IGBT 1068 0

混合器件的原理及應(yīng)用

混合器件的原理及應(yīng)用

今天想抽出點(diǎn)時間來聊一下復(fù)合器件(Si IGBT + SiC MOSFET),我也不太清楚這個中文名字應(yīng)該叫什么,文獻(xiàn)里都叫做Hybrid switch...

2023-10-25 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 1227 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
  • 海思
    海思
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  • STM32F103C8T6
    STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號和開關(guān)量信號的傳輸。另一個重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊,屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層,功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊,內(nèi)置無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng),是實現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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放大器 運(yùn)算放大器 差動放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變增益放大器 隔離放大器
時鐘 時鐘振蕩器 時鐘發(fā)生器 時鐘緩沖器 定時器 寄存器 實時時鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動器 步進(jìn)驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
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