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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

變頻器IGBT模塊故障維修實例詳解

對于變頻器的維修,總的來說,首先要對其工作原理有較透徹的理解,對每個電路的性能指標(biāo)、工作點(diǎn)及器件的性能、好壞都能有一個正確的判別,才能真正地修好每一臺設(shè)...

2023-02-24 標(biāo)簽:傳感器變壓器變頻器 3683 0

到底什么是功率半導(dǎo)體?

到底什么是功率半導(dǎo)體?

功率半導(dǎo)體的功能主要是對電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換,對電路進(jìn)行控制,改變電子裝置中的電壓和頻率,直流或交流等,均具有處理高電壓,大電流的能力。

2023-02-03 標(biāo)簽:大電流IGBT功率半導(dǎo)體 3674 0

PWM型逆變電路原理

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單極性PWM控制方式 1.調(diào)制法: 在調(diào)制信號ur和載波信號uc的交點(diǎn)時刻控制IGBT通斷 ①ur正半周,V1保持通,V2保持?jǐn)唷?/p>

2023-03-31 標(biāo)簽:PWMIGBT逆變電路 3674 0

探索高壓輸電:電壓源換流器

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VSC目前已成為首選實施對象,原因如下:VSC具有較低的系統(tǒng)成本,因為它們的配站比較簡單。VSC實現(xiàn)了電流的雙向流動,更易于反轉(zhuǎn)功率流方向。VSC可以控...

2023-04-06 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器IGBTVSC 3668 0

變頻器的輔助電源設(shè)計

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  上篇我們聊了變頻器主回路的設(shè)計和計算,主要的還是主要參數(shù)的計算以及選型的注意事項,今天我們繼續(xù)往下說,聊聊變頻器的輔助電源部分。

2023-04-08 標(biāo)簽:電源設(shè)計變頻器DC-DC 3662 0

IGBT的開關(guān)頻率最高到多少Hz?

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波老師那個年代上大學(xué)都是自己攢機(jī)裝電腦,買CPU先問主頻多少Hz?后來買手機(jī)也是,先看幾個核,再看主頻...所以估計大家都也差不多,都烙下病根兒了。 可...

2023-11-10 標(biāo)簽:二極管IGBTSVPWM 3662 0

不同因素對IGBT溫敏參數(shù)dv/dt有什么影響?

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結(jié)溫是IGBT功率模塊中功率器件的重要狀態(tài)變量,能直接反映器件安全裕量、健康狀態(tài)及運(yùn)行性能等。

2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率模塊 3652 0

IGBT結(jié)溫估算—(二)IGBT/Diode損耗的計算

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IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分

2023-05-26 標(biāo)簽:二極管IGBTDiode 3629 0

淺談SiC MOSFET芯片的短路能力

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SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的,目前大部分都不承諾短路能力,有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊上標(biāo)明短路能力的幾家,也通常把短路耐受時間(SCWT:shor...

2023-12-13 標(biāo)簽:芯片MOSFETIGBT 3626 0

igct和igbt的區(qū)別在哪

IGCT和IGBT是兩種不同的電力電子器件,它們在應(yīng)用、特性、結(jié)構(gòu)和設(shè)計等方面存在一些差異。下面將詳細(xì)介紹IGCT和IGBT的區(qū)別。 工作原理:IGCT...

2023-11-24 標(biāo)簽:電力電子器件IGBT晶體管 3624 0

常用元件參數(shù)與選用

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常用電子元件有:電阻、電容、二極管、三極管、可控硅、IGBT、MOSFET等。

2023-05-30 標(biāo)簽:三極管二極管MOSFET 3618 0

igbt能直接代替可控硅嗎 IGBT直接代替可控硅會有什么影響?

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可控硅具有優(yōu)秀的反向阻斷能力,適用于需要在極短時間內(nèi)承受較高反向電壓沖擊的場合。而IGBT的反向阻斷能力相對較弱,不適用于這種高反向電壓沖擊的場合。

2024-02-29 標(biāo)簽:可控硅變頻器逆變器 3593 0

IGBT的結(jié)構(gòu)與各種保護(hù)設(shè)計方法詳解

GTR和MOSFET復(fù)合,結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn),具有好的特性。80年代中期問世以來,逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場,中小功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件。

2017-06-05 標(biāo)簽:igbt 3582 0

IGBT保護(hù)的問題:短路保護(hù)和過流保護(hù)

電流傳感器檢測主要采用閉環(huán)霍爾電流傳感器進(jìn)行采樣,受限于霍爾傳感器的頻帶寬度及控制采樣電路的延遲,實時性可能還有待提高;di/dt檢測主要是依據(jù)IGBT...

2022-09-05 標(biāo)簽:過流保護(hù)IGBT短路保護(hù) 3581 0

變頻器驅(qū)動電路簡述

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  變頻器是一種電離器件,用于將輸入的電源頻率調(diào)整到不同的輸出頻率。變頻器驅(qū)動電路是用于控制變頻器的電路,它使變頻器按照預(yù)定的頻率和電壓輸出所需的功率。

2023-03-13 標(biāo)簽:變頻器PWM控制電路 3576 0

為什么SiC MOSFET的短路耐受時間比較小

我們都知道,IGBT發(fā)生短路時,需要在10us或者更短的時間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...

2022-08-07 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 3576 0

車規(guī)芯片與非車規(guī)芯片基本性能對比

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功率型芯片于控制單元中主要負(fù)責(zé)具有高功率負(fù)載的控制電路,是可實現(xiàn)系統(tǒng)中電力控制與管理的關(guān)鍵零件,由于其所具有的電能轉(zhuǎn)換特性,故也被稱為電能轉(zhuǎn)換芯片,于車...

2024-04-09 標(biāo)簽:傳感器MOSFETIGBT 3575 0

igbt驅(qū)動電路工作原理 igbt驅(qū)動電路和場效管驅(qū)動區(qū)別

IGBT驅(qū)動電路工作原理: IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種特殊的雙極晶體管,結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和普通雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)...

2024-01-23 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動電路雙極晶體管 3567 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—反型層論述

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在“IGBT中的若干PN結(jié)”一章中我們提到,IGBT是由BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)所構(gòu)成

2023-11-29 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 3558 0

igbt啟動最低電壓多少伏正常

IGBT(Insulated-gate bipolar transistor)是一種高性能功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于電力變換和控制領(lǐng)域。它是一種結(jié)合了易于...

2024-03-12 標(biāo)簽:電壓IGBT集電極 3546 0

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    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說,光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號,通過光纖傳送后,接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
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    CD4046
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    COMSOL
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    靜電防護(hù)
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    SDK
    +關(guān)注
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