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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2837個 瀏覽：249484次 帖子：479個

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      自 20 世紀 80 年代發展至今，IGBT 芯片經歷了 7 代技術及工藝的升級，從平面穿通型（PT）到微溝槽場截止型，IGBT 從芯片面積、工藝線寬、...

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      2023-02-27 標簽：MOSFET控制電路電力電子器件 3346 0

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