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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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如何計(jì)算MOSFET實(shí)際應(yīng)用中的損耗
功率半導(dǎo)體自20世紀(jì)50年代開始發(fā)展起來,至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產(chǎn)品體系。新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生拓寬了原有產(chǎn)品和...
由變頻驅(qū)動的電機(jī),電機(jī)是不能直接從電源側(cè)獲取能量的,變頻器不同于開關(guān)、接觸器,一旦接通,電機(jī)就能從工頻下啟動并運(yùn)行,變頻器由整流、濾波、逆變環(huán)節(jié),它的能...
近年來,隨著能源危機(jī)和環(huán)境問題的日益突出,產(chǎn)業(yè)界和科研界都對電動汽車的研發(fā)投入了極大關(guān)注,也帶來了全球范圍內(nèi)電動汽車產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,使得目前電動汽車產(chǎn)品...
2023-08-30 標(biāo)簽:電動汽車變換器充電系統(tǒng) 788 0
變頻器是一種靜止的頻率變換器,可將電網(wǎng)電源的50Hz頻率交流電變成頻率可調(diào)的交流電,作為電動機(jī)的電源裝置,目前在國內(nèi)外使用廣泛。使用變頻器可以節(jié)能、提高...
聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測試中遇到的串?dāng)_問題
碳化硅具有更快的切換速度(更短的切換時(shí)間),較低的損耗,更高的開關(guān)頻率,更高的耐壓能力以及更好的溫度特性,相應(yīng)地帶來效率的替身,系統(tǒng)磁性元器件減小,功率...
功率半導(dǎo)體迎來SiC時(shí)代?碳化硅(SiC)的需求快速增長
在新能源汽車終端市場中,隨著SiC材料價(jià)格下降,碳化硅(SiC)的需求快速增長,來自于車載充電、驅(qū)動逆變和DC-DC轉(zhuǎn)換。
2023-08-27 標(biāo)簽:新能源汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器IGBT 1953 0
采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管
JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管,產(chǎn)品型號為 JHY140N120HA。產(chǎn)品外觀和內(nèi)部電路拓?fù)淙缦聢D所示。
天前,兩位今年剛加入我們維修電工班的同事,竟然被一支普普通通的DZ47—63 D40型兩匹斷路器完虐,從而再次為我們廣大電工提供了一個(gè)經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)——工作除...
2023-08-25 標(biāo)簽:開關(guān)電源電位器PWM 563 0
IGBT模塊/IPM的安全運(yùn)行設(shè)計(jì)方案
由于SCSOA 區(qū)域在集電極電流變大時(shí)有變窄的傾向,需要加以注意。IPM 內(nèi)置柵極驅(qū)動電路和保護(hù)電路可以對超出IGBT 安全工作區(qū)的運(yùn)行模式加以保護(hù)以免...
封裝技術(shù)是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝,主要起到電氣連接、結(jié)構(gòu)支持和保護(hù)、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作...
2023-08-24 標(biāo)簽:IGBT功率器件半導(dǎo)體器件 2429 0
可控硅調(diào)光電源有噪聲正常嗎 可控硅調(diào)光電源有噪聲原因是什么
雖然可控硅調(diào)光電源可能存在一些噪聲,但在一般情況下,這些噪聲水平是可以接受的,并不會對其正常功能和性能產(chǎn)生顯著影響。如果噪聲超出了所期望的范圍,并且造...
2023-08-23 標(biāo)簽:電源電源設(shè)計(jì)IGBT 3274 0
始于19世紀(jì)初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料,其中較為矚目的莫過于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。
SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別
率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,對其改良可以實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢。
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