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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化,一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優(yōu)勢前面已經介紹過,如低損耗、高速...
2022-07-26 標簽:IGBT晶體管SiC-MOSFET 2616 0
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導體器件,廣泛應用于軌道交通、智能電網、工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領域。
東芝半導體推出具備低功耗節(jié)能屬性的IGBT器件GT30N135SRA
IGBT因其優(yōu)異的電氣屬性和性價比在業(yè)界被廣泛應用,特別是在工業(yè)控制領域幾乎隨處可見IGBT的身影。作為功率半導體的家族分支,不僅融合了BJT和MOSF...
具有自關斷能力的電力半導體器件稱為全控性器件,全控型器件又稱為自關斷器件,是指通過控制信號既可以控制其導通,又可以控制其關斷的電力電子器件。
功率半導體器件種類眾多,按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類,其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大,是最主要的品類。
在電子電路中,MOS管和IGBT管會經常使用,它們都可以作為開關元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數也比較相似,為什么有些電路中使用MOS管...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管,是一種先進的電力電子器件。IGBT芯片結合了MOS...
所有類型的電動汽車(EV)的高功率、高電壓要求,包括電動公交車和其他電子交通電源系統(tǒng),需要更高的碳化硅(SiC)技術來取代舊的硅FET和IGBT。安全高...
電驅系統(tǒng)三大核心之IGBT模塊如何工作?主要汽車IGBT模塊供應商介紹
? 當前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產品,國內外的模塊廠商已經開發(fā)了很多,但是有一個模...
PWM控制型IGBT的EMI機理與抑制優(yōu)化設計方法探討
驅動器類IGBT控制方式,特別是變頻器類,有無PG V/f 控制、帶PG V/f控制、無PG矢量控制、帶PG矢量控制等等不同的控制方式和術語描述
IGBT組成的H橋功率單元和級聯(lián)拓撲結構有什么不同?
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種電力電子設備中常用的高效能開關器件,它結合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極晶體管的低導通壓降特點。
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