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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),使用電阻控制IGBT開關(guān)的方法剖析
R2C2稱為反肩峰電路。當(dāng)仿真線向不匹配的負(fù)載放電會(huì)在脈沖的前沿引起顯著的肩峰。R2C2電路就是為了減小這種肩峰的,其電阻通常選擇和負(fù)載阻抗相等,而電容...
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 和二極管是電子設(shè)備中常見的兩種功率開關(guān)器件。它們在許多應(yīng)用中起著關(guān)鍵作...
IGBT尖峰吸收電容的選型方法是一個(gè)綜合考慮多個(gè)因素的過程,以確保電容能夠有效地吸收IGBT在開關(guān)過程中產(chǎn)生的尖峰電壓和電流,從而保護(hù)IGBT不受損壞。...
諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件,要求對IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注,以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到...
2022-08-06 標(biāo)簽:IGBT 2359 0
基于載波的SVPWM發(fā)波計(jì)算Mathcad實(shí)例
基于載波的SVPWM發(fā)波計(jì)算Mathcad實(shí)例,由于本文分析SVPWM,因此沒有控制環(huán)路的PID環(huán)節(jié),為了簡便輸入直接給定dq值,經(jīng)過park 和cla...
SIC比SI有什么優(yōu)勢?碳化硅優(yōu)勢的實(shí)際應(yīng)用
SiC的導(dǎo)熱性大約是Si的三倍,并且將其他特性的所有優(yōu)點(diǎn)結(jié)合在一起。導(dǎo)熱率是指熱量從半導(dǎo)體結(jié)傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達(dá)200°C...
2023-11-23 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器IGBT 2344 0
回顧IGBT的技術(shù)發(fā)展:7代技術(shù)及工藝改進(jìn)
新能源汽車的成本構(gòu)成中,最大頭當(dāng)然是動(dòng)力電池,第二高的就是IGBT。 在電動(dòng)汽車特斯拉Model 3上,提供電源的是,7000節(jié)18650電池,這些...
針對現(xiàn)階段制約電力電子技術(shù)發(fā)展的散熱問題,以溫度對電力電子器件的影響、電力電子設(shè)備熱設(shè)計(jì)特點(diǎn)、常見散熱技術(shù)、散熱系統(tǒng)優(yōu)化研究和新材料在電力電子散熱研究中...
如何實(shí)現(xiàn)純電動(dòng)汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)三相線濾波磁環(huán)的設(shè)計(jì)?
電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的主要干擾源是功率開關(guān)器件的開關(guān)動(dòng)作,目前車用硅基 IGBT 的工作頻率一般為10kH,同時(shí)由于電路中雜散電感等寄生參數(shù)的存在
考慮到所有這些因素,電路板和系統(tǒng)級設(shè)計(jì)人員應(yīng)如何選擇放大器呢?答案是:要看電磁干擾抑制比(EMIRR)。該技術(shù)指標(biāo)類似于電源抑制比和共模抑制比,因?yàn)樗?..
什么是宇宙射線?宇宙射線導(dǎo)致IGBT失效的機(jī)理
眾所周知,IGBT失效是IGBT應(yīng)用中的難題。大功率IGBT作為系統(tǒng)中主電路部分的開關(guān)器件,失效后將直接導(dǎo)致系統(tǒng)癱瘓。宇宙射線作為一個(gè)無法預(yù)知的因素,可...
AN-1316:為IGBT電機(jī)驅(qū)動(dòng)器生成多個(gè)隔離偏置軌
最先進(jìn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器使用基于 3 相絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的逆變器,該逆變器由直流母線電壓供電,通常在 400 V 直流至 800 V 直流范圍...
2023-06-13 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電機(jī)IGBT 2312 0
場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,F(xiàn)ET)和絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transisto...
2024-07-25 標(biāo)簽:場效應(yīng)管IGBT晶體管 2307 0
為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件?它們有何區(qū)別和聯(lián)系?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場...
電機(jī)控制器,作為電動(dòng)汽車的核心部件之一,是汽車動(dòng)力性能的決定性因素。它從整車控制器獲得整車的需求,從動(dòng)力電池包獲得電能,經(jīng)過自身逆變器的調(diào)制,獲得控制電...
2023-10-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車新能源汽車逆變器 2285 0
面向汽車應(yīng)用的下一代高壓離散電源產(chǎn)品
電動(dòng)汽車的激增將功率半導(dǎo)體性能的邊界推向了新的高度。傳統(tǒng)上,硅功率器件已用于控制汽車中的各種功率電子系統(tǒng),例如用于主逆變器電機(jī),泵,HVAC壓縮機(jī),制動(dòng)...
2021-05-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車二極管IGBT 2284 0
如今市場上先進(jìn)功率元件的種類數(shù)不勝數(shù),工程人員要為一項(xiàng)應(yīng)用選擇到合適的功率元件,的確是一項(xiàng)艱巨的工作。就以太陽能逆變器應(yīng)用來說,絕緣柵雙極晶體管 (I...
IGBT模塊短路的性能有哪些?寄生導(dǎo)通現(xiàn)象有哪些?
IGBT模塊短路特性強(qiáng)烈地依賴于具體應(yīng)用條件,如溫度、雜散電感、IGBT驅(qū)動(dòng)電路及短路回路阻抗。
Vce以及Vge鉗位電路設(shè)計(jì)使用注意事項(xiàng)
在IGBT驅(qū)動(dòng)電路中有時(shí)會(huì)用到鉗位電路,其主要目的是為了保護(hù)IGBT器件,避免運(yùn)行參數(shù)超過集電極或者門極的極限參數(shù),今天我們總結(jié)一下Vce以及Vge鉗位...
2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路IGBT器件 2278 0
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