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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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好IGBT選FHA60T65A型號,代換FGH60N60SMD型號參數的IGBT也是選FHA60T65A型號。
代對于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開關管呢?
對于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開關管呢?
不間斷電源的產品會有不同的標準,常見會有GB 4943-2011、IEC 62040-1:2017、UL1778 4th Edition、EN 6204...
IGBT作為一種功率開關,從門級信號到器件開關過程需要一定反應時間,就像生活中開關門太快容易擠壓手一樣,過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震...
如何選擇能代換FGH60N60SMD的型號參數的IGBT單管來應用呢?
在整個光伏逆變器的開發中,單相組串式光伏逆變器的前級升壓通常采用高效的升壓轉換器,如Boost轉換器或SEPIC轉換器等,以提高電路效率和穩定性。
變頻器靠內部IGBT的開斷來調整輸出電源的電壓和頻率,根據電機的實際需要來提供其所需要的電源電壓,進而達到節能、調速的目的,另外,變頻器還有很多的保護功...
Sic MOSFET的正柵壓目前已經于Si IGBT相當(+15V) ,但負柵壓仍有很大差別(-5V) ,Sic MOSFET開關速度快引起的EMII問...
陶瓷覆基板是影響模塊長期使用的關鍵部分之一,IGBT模塊封裝中所產生的熱量主要是經陶瓷覆銅板傳到散熱板最終傳導出去。陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆銅板性能的...
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,具有高輸入阻...
眾所周知,在所有工業控制系統中,變頻驅動器(VFD)和IGBT逆變器通常安裝在電動機的前端,以調節速度并節省能源。根據不同的輸入電壓要求,逆變器通常分為...
今天給兄弟們分享一個infineon的文檔《使用功率MOSFET進行設計,如何避免常見問題和故障模式》,依然是我覺得比較好的。
三極管是一種電流控制體器件,它的主要作用是把微弱信號放大,輸入阻抗低,例如在基極b給一個很小的電流Ib,在集電極c上得到一個比較大的電流Ic。它是電流放...
逆變器就是變壓器嗎 逆變器可以當變壓器使用嗎 陽能逆變器是變壓器嗎
逆變器和變壓器是兩個不同的電子設備,雖然逆變器和變壓器都是用于電能轉換的,但是它們的工作原理、功能和實現方式都有很大的區別。
自 20 世紀 80 年代發展至今,IGBT 芯片經歷了 7 代技術及工藝的升級,從平面穿通型(PT)到微溝槽場截止型,IGBT 從芯片面積、工藝線寬、...
碳化硅SIC MOSFET替代傳統MOSFET及IGBT的優點
碳化硅MOS優點:高頻高效,高耐壓,高可靠性。可以實現節能降耗,小體積,低重量,高功率密度。
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