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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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      igbt技術

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      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導體器件，廣泛應用于電力電子領域，如變頻器、電源、電動汽車等。IGBT在工作過程中會產生大量的熱量，需要通過散熱...

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      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是兩種常見的功率半導體器件，它們在許多電子設備中都有廣泛的應用。盡管它們在...

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      IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導體器件，廣泛應用于電力電子領域。在IGB...

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