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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2837個 瀏覽：249490次 帖子：479個

      igbt技術

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      該分析描述了一種用于確定IGBT損耗的數值算法。諸如MathCAD?之類的數學工作表程序可用于此應用程序。

      2021-05-21 標簽：IGBTPSPICE 1986 0

      IGBT雙脈沖測試仿真過程描述

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      階段1(0—t1)：在此階段，柵極電流開始對柵電容CGE充電，但是VGE<Vth，溝道未開啟。

      2023-07-12 標簽：電感器IC設計IGBT 1979 0

      如何入手分析PMSM電機輸出扭矩波動和扭矩偏差的現象？

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      電驅產品前期開發階段，時常遇到電機輸出扭矩波動或扭矩偏差的現象，甚至在后期客戶裝車時也會出現這現象，這就要求現場調試人員快速鎖定問題點，減少項目技術風險。

      2023-07-10 標簽：IGBT電流傳感器PMSM 1975 0

      IGBT功率模塊散熱基板的作用及種類 車規級IGBT功率模塊的散熱方式

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      IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導致的熱應力，良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機控制器是典型的高功率密度部件...

      2023-08-23 標簽：新能源汽車控制器IGBT 1975 0

      如何測量功耗并計算二極管和IGBT芯片溫升

      開通、導通和關斷損耗構成了 IGBT 芯片損耗的總和。關斷狀態損耗可以忽略不計，不需要計算。為了計算 IGBT 的總功率損耗，須將這三個能量之和乘以開關頻率。

      2023-03-01 標簽：二極管IGBT 1972 0

      變頻器驅動電機異常噪音解析

      變頻器現今已經被廣泛使用，技術成熟，易操作。即使是沒有相關技術知識，也可以很快學會。不過，使用過程中，因為各方面原因，還是會遇到各種問題，很多變頻器自身...

      2023-06-14 標簽：變頻器IGBT驅動電機 1968 0

      IGBT用什么驅動好

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      IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種廣泛應用于電力電子領域的高性能半導體器件，具有高輸入阻抗、低導通壓降、高電流密度等優點。然而，由于IGBT的驅動電路...

      2023-12-30 標簽：驅動IGBT晶體管 1967 0

      IGBT的工作原理 影響IGBT可靠性因素有哪些

      IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳...

      2023-04-06 標簽：開關電源變頻器IGBT 1965 0

      淺談各種SiC IGBT器件的制作過程與相關性能

      通常來講，全控型半導體器件可以依照其導通狀態下的載流子類型分為單極型半導體器件和雙極型半導體器件，在每一類中又可以分為電流控制型和電壓控制型。

      2023-02-13 標簽：IGBTSiC功率半導體 1964 0

      高耐壓超級結MOSFET的種類與特征

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      上一篇介紹了近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產品定位，以及近年來的高耐壓Si-MOSFET的代表超級結MOSF...

      2023-02-10 標簽：MOSFETIGBTSiC 1962 0

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      2024-01-10 標簽：IGBT晶體管功率半導體 1957 0

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      2023-01-07 標簽：散熱器IGBT 1953 0

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      2012-08-10 標簽：IGBT光電耦合器TLP2451 1950 0

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      2023-12-28 標簽：開關MOSFET半導體 1947 0

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      • SDK
        SDK
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      • OBD
        OBD
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