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      標簽　>　igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2840個 瀏覽：249521次 帖子：479個

      igbt技術

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      全面的IGBT封裝設計解決方案

      國內龐大的市場基礎、 潛在的電力電子裝備關鍵器件完全依靠進口的風險和國家產業升級共同推動了本土IGBT芯片設計、模塊封裝的技術進步和創新。

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      第二代電動汽車功率逆變器控制參考平臺

      為了確保高水平的功能安全以保護車輛操作員以及第一代系統，使能套件中包含系統級功能安全白皮書、設備FMEDA和功能安全運行時框架，適用于ASIL C/D ...

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