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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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雖然將典型 400 V 電池的電壓加倍可為 EV 帶來巨大好處,但對于依賴硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆變器來說,在更高電壓下的...
東芝分立IGBT大幅提高空調(diào)和工業(yè)設(shè)備的效率
GT30J65MRB用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT。 功率半導(dǎo)體器件經(jīng)過業(yè)界驗(yàn)證,對于節(jié)能工作意義重...
GT30J65MRB東芝分立IGBT將大幅提高空調(diào)和工業(yè)設(shè)備的效率
GT30J65MRB用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT。 功率半導(dǎo)體器件經(jīng)過業(yè)界驗(yàn)證,對于節(jié)能工作意義重...
變頻調(diào)速電機(jī)是由變頻器、電纜和電機(jī)組成的。變頻器的核心控制部件有BJT(雙極晶體管)、IGBT(絕緣柵)等多種類型,其中IGBT具有驅(qū)動簡單、易于保護(hù)和...
2023-03-15 標(biāo)簽:變頻器IGBT脈寬調(diào)制 1240 0
如何使用UCC217XX實(shí)現(xiàn)高精度的溫度采樣
UCC217XX-Q1是一系列電流隔離單通道柵極驅(qū)動器,可用于驅(qū)動碳化硅 MOSFET 和IGBT ,具有高級保護(hù)功能,一流的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。該系列隔...
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGB...
Interlock互鎖電路在不同驅(qū)動器下的實(shí)現(xiàn)
在電機(jī)驅(qū)動、逆變電源等應(yīng)用中,橋式電路是最基本的拓?fù)洌湫腿鄻蚴侥孀冸娐啡缦聢D1所示。而橋式電路中的任一橋臂,其上下管一般采用180°導(dǎo)通方式,即上下...
2023-03-14 標(biāo)簽:電源驅(qū)動器電機(jī)驅(qū)動 2980 0
參數(shù)漂移是隨著部件退化而發(fā)生的,而電學(xué)特性,如V行政長官(ON)或IC冰漂在可接受的操作范圍內(nèi),由于在設(shè)備或模塊內(nèi)累積損壞
2023-03-13 標(biāo)簽:IGBT 814 0
電動汽車“千伏”高壓快充架構(gòu)設(shè)計(jì)發(fā)展報(bào)告
高電壓會導(dǎo)致壓縮機(jī)、PTC和電機(jī)驅(qū)動MCU成本增.加,以當(dāng)前較為成熟的2C快充,采用150kW前驅(qū)動系統(tǒng)為例,950V電壓平臺相比450V電壓平臺增加成...
IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)介紹 如何拆卸IGBT模塊?
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。
什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)解釋和拆解
在大致了解了它的結(jié)構(gòu)之后,我們可以用這種結(jié)構(gòu)的黑色模塊做什么呢?舉一個(gè)我們身邊的例子:新型電動汽車,大家應(yīng)該都不陌生了。三個(gè)這樣的黑色模塊可以用作三相電...
變頻器是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機(jī)工作電源頻率方式來控制交流電動機(jī)的電力控制設(shè)備。** 變頻器靠內(nèi)部IGBT的開斷來調(diào)整輸出電源的電壓和頻率...
變頻器(Variable-frequency Drive,VFD)是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機(jī)工作電源頻率方式來控制交流電動機(jī)的電力控制設(shè)備...
為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過程中準(zhǔn)確的功率損耗,基于數(shù)學(xué)模型及測試,建立了 一種準(zhǔn)確計(jì)算功率逆變器損耗模型的方法。通過雙脈沖測試對影響...
寄生二極管和普通二極管一樣,正接會導(dǎo)通,反接截止,對于NMOS,當(dāng)S極接正,D極接負(fù),寄生二極管會導(dǎo)通,反之截止;對于PMOS管,當(dāng)D極接正,S極接負(fù),...
2023-03-06 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管IGBT 2018 0
近幾年主流芯片制造廠商,包括Infineon, Fuji, Mitsubishi等都相繼問世了第七代芯片,在芯片大小,芯片厚度,飽和壓降,開關(guān)損耗等權(quán)衡...
為什么逆導(dǎo)型IGBT可以用于大功率CCM模式PFC電路
對于功率因數(shù)校正(PFC),通常使用升壓轉(zhuǎn)換器Boost拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時(shí)IGBT是大功率PFC應(yīng)用的最佳選擇,如空調(diào)、...
2023-03-05 標(biāo)簽:二極管升壓轉(zhuǎn)換器IGBT 1610 0
變頻器內(nèi)部是由無數(shù)個(gè)電子器件構(gòu)成的,其工作時(shí)會產(chǎn)生大量的熱量,尤其是IGBT工作在高頻狀態(tài)下,產(chǎn)生的熱量會更多。
2023-03-03 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)變頻器IGBT 7371 0
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