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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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33W功率段快充可支持20V輸出,給電腦充電,同時(shí)也更適合A+C多口應(yīng)用,更適應(yīng)蘋果下一代機(jī)型充電,有望替代20W成為電商市場主流。為了滿足快速發(fā)展的快...
具體來說,可以通過電子器件(例如晶體管、IGBT等)開關(guān)電源,將直流電源轉(zhuǎn)換為高頻的脈沖信號(hào),再通過控制脈沖的占空比來控制電機(jī)的電壓。當(dāng)占空比增加時(shí)...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
2023-03-02 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管IGBT 1487 0
開通、導(dǎo)通和關(guān)斷損耗構(gòu)成了 IGBT 芯片損耗的總和。關(guān)斷狀態(tài)損耗可以忽略不計(jì),不需要計(jì)算。為了計(jì)算 IGBT 的總功率損耗,須將這三個(gè)能量之和乘以開關(guān)頻率。
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中,SiC MOSFET在近年來的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度...
IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor,集成門控晶閘管)和 IGBT(Insulated Gate Bipo...
大功率電力電子裝置常用的功率半導(dǎo)體開關(guān)器件有哪些?
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
首先需要了解的是:接下來要介紹的不是全SiC功率模塊特有的評(píng)估事項(xiàng),而是單個(gè)SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中,該信息...
PT-IGBT很好地解決了IGBT的閂鎖問題,但是需要增加外延層厚度,技術(shù)復(fù)雜,成本也高。IGBT芯片中的外延層與電壓規(guī)格是直接相關(guān)的,電壓規(guī)格越高、外...
IGBT主要參數(shù)與應(yīng)用特點(diǎn)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種雙極性功率半導(dǎo)體器件,由BJT(雙極型三極管)和MOS管復(fù)合而成,兼...
2023-02-26 標(biāo)簽:MOS管IGBT功率半導(dǎo)體 1.1萬 0
IGBT的開關(guān)頻率不是算出來的,只能是在變頻電源生產(chǎn)廠家生產(chǎn)時(shí)測試它工作的最高頻率,正常時(shí)候,我們使用之前都需要先確定讓其大概工作在多少頻率段,并經(jīng)過實(shí)...
2023-02-26 標(biāo)簽:IGBT變頻電源開關(guān)頻率 2.1萬 0
MOS管是一種基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,也被稱為MOSFET(MOS場效應(yīng)管),是現(xiàn)代電子技術(shù)中應(yīng)用最廣泛的晶體管之一。
2023-02-25 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管NMOS 1.6萬 0
具有自關(guān)斷能力的電力半導(dǎo)體器件稱為全控性器件,全控型器件又稱為自關(guān)斷器件,是指通過控制信號(hào)既可以控制其導(dǎo)通,又可以控制其關(guān)斷的電力電子器件。
三相600V柵極全橋驅(qū)動(dòng)IC-PT5616/PT5616A介紹
PT5616/PT5616A是全橋驅(qū)動(dòng)IC,在最大阻斷電壓為600V的三相系統(tǒng)中,用于控制功率器件,如MOS晶體管或IGBT。
國產(chǎn)IGBT產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域
國產(chǎn)IGBT的使用已經(jīng)非常成熟了,伴隨著半導(dǎo)體領(lǐng)域的大力發(fā)展,目前國內(nèi)涌現(xiàn)越來越多的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體企業(yè),飛虹半導(dǎo)體就是其中之一。目前飛虹半導(dǎo)體首發(fā)FHA40...
工控的IGBT市場規(guī)模在近年來逐步增大,尤其是隨著我國變頻器、電焊機(jī)市場穩(wěn)步增長,工業(yè)機(jī)器人市場加速發(fā)展,對(duì)應(yīng)的工控 IGBT 市場也將穩(wěn)步增長。
【導(dǎo)讀】與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來確定芯片溫度。 這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時(shí)包含 IG...
快恢復(fù)二極管FRD器件的應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電力電子技術(shù)正向著輕型化、微型化、智能化、節(jié)能化發(fā)展,各種控制電路和不間斷電源、開關(guān)電源的應(yīng)用不斷擴(kuò)大。做為直接影響這些電路設(shè)計(jì)合理性和運(yùn)行可靠性的...
2023-02-24 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電源晶閘管 1051 0
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