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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

全SiC功率模塊的開關(guān)損耗

全SiC功率模塊的開關(guān)損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進(jìn)行介紹,開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。

2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 787 0

何謂全SiC功率模塊

何謂全SiC功率模塊

繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了...

2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 605 0

變頻器IGBT模塊故障維修實(shí)例詳解

對于變頻器的維修,總的來說,首先要對其工作原理有較透徹的理解,對每個(gè)電路的性能指標(biāo)、工作點(diǎn)及器件的性能、好壞都能有一個(gè)正確的判別,才能真正地修好每一臺設(shè)...

2023-02-24 標(biāo)簽:傳感器變壓器變頻器 3691 0

IGBT的研究與進(jìn)展

從 20 世紀(jì) 80 年代 IGBT 被首次提出至今,IGBT 器件不斷朝著更低的正向?qū)▔航怠⒏〉拈_關(guān)損 耗方向發(fā)展;但是,鑒于 IGBT 器件的各...

2023-02-24 標(biāo)簽:電路IGBT半導(dǎo)體器件 3946 0

主流功率半導(dǎo)體器件IGBT的歷史沿革和最新研究

本文首先介紹了 IGBT 技術(shù)的研究現(xiàn)狀,并對 IGBT 不同結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)和電學(xué)特性做了簡要闡述;最 后列舉了一些最新的研究成果,并探討了 IGBT 的 ...

2023-02-24 標(biāo)簽:emiIGBT半導(dǎo)體器件 4956 0

納芯微全新推出光耦兼容的智能隔離單管驅(qū)動器NSi68515

納芯微單通道智能隔離式柵極驅(qū)動器NSi68515,專為驅(qū)動高達(dá)2121V直流母線電壓下的SiC MOSFET,IGBT而設(shè)計(jì)

2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動器IGBT 1549 0

IGBT功率半導(dǎo)體的主要引用領(lǐng)域有哪些?

可控硅:能夠被低功率的控制信號打開,但只能由主電路(功率電路)自身來關(guān)斷而不能被控制信號關(guān)斷,因此又被稱為半可控開關(guān)。

2023-02-23 標(biāo)簽:變壓器IGBT功率半導(dǎo)體 4361 0

詳解IGBT的米勒鉗位電路

詳解IGBT的米勒鉗位電路

當(dāng)出現(xiàn)短路時(shí)IGBT的Vce快速上升,過高的dVce/dt會通過米勒電容給IGBT門極充電,若不進(jìn)行保護(hù)會使得門極電壓過高而損壞IGBT,門極鉗位電路主...

2023-02-23 標(biāo)簽:三極管IGBTpnp 9201 0

三極管推挽電路設(shè)計(jì)

三極管推挽電路設(shè)計(jì)

當(dāng)驅(qū)動光耦的輸出能力無法滿足IGBT門極驅(qū)動電流的要求時(shí),要選擇使用推挽驅(qū)動。

2023-02-23 標(biāo)簽:三極管電路設(shè)計(jì)IGBT 2864 0

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

IGBT的低Vd(或低Id)范圍(在本例中是Vd到1V左右的范圍),在IGBT中是可忽略不計(jì)的范圍。這在高電壓大電流應(yīng)用中不會構(gòu)成問題,但當(dāng)用電設(shè)備的電...

2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 1077 0

IGBT的等效電路

IGBT的等效電路

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管...

2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 7187 0

IGBT的優(yōu)缺點(diǎn)

IGBT的優(yōu)缺點(diǎn)

簡單講,是一個(gè)非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動...

2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFET電壓IGBT 3899 0

IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)

IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)

為了更好了解IGBT,下面我們再來看看它的內(nèi)部結(jié)構(gòu):一般,IGBT 有三個(gè)端子:集電極、發(fā)射極和柵極,他們都是附有金屬層。但是,柵極端子上的金屬材料具有...

2023-02-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT晶體管 4383 0

IGBT工作原理與MOSFET的關(guān)聯(lián)

IGBT工作原理與MOSFET的關(guān)聯(lián)

 IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高...

2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率 1819 0

關(guān)于IGBT與MOSFET的不同

 MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。主要優(yōu)點(diǎn)是熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大,缺點(diǎn)是擊穿電壓低,工作電流小。

2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFET變頻器IGBT 4202 0

IGBT功率模塊的特點(diǎn)及應(yīng)用

IGBT功率模塊的特點(diǎn)及應(yīng)用

 IGBT功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅(qū)動功率小,控制電路簡單,開關(guān)損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件,它集雙...

2023-02-22 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率模塊 3446 0

使用數(shù)字萬用表對IGBT模塊進(jìn)行檢驗(yàn)

使用數(shù)字萬用表對IGBT模塊進(jìn)行檢驗(yàn)

IGBT模塊是一種模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,由IGBT(絕緣柵雙極晶體管芯片)和續(xù)流二極管芯片(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋封裝而成。封裝后的IGBT模塊直...

2023-02-22 標(biāo)簽:二極管模塊數(shù)字萬用表 3836 0

IGBT功率模塊的優(yōu)勢

IGBT功率模塊的優(yōu)勢

IGBT最常見的形式其實(shí)是模塊(Module),而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)...

2023-02-22 標(biāo)簽:模塊半導(dǎo)體IGBT 2615 0

IGBT功率模塊是什么?

IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動,利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功...

2023-02-22 標(biāo)簽:封裝技術(shù)IGBT功率模塊 4325 0

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    IOT
    +關(guān)注
    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
  • 海思
    海思
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    STM32F103C8T6
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  • 數(shù)字隔離
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    STM32單片機(jī)
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    +關(guān)注
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  • 加速度傳感器
    加速度傳感器
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    加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
  • 聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
    聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
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  • 服務(wù)機(jī)器人
    服務(wù)機(jī)器人
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    服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員,到目前為止尚沒有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國家對服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識不同。
  • 四軸飛行器
    四軸飛行器
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    靜電防護(hù)
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    SDK
    +關(guān)注
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放大器 運(yùn)算放大器 差動放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變增益放大器 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動器 步進(jìn)驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
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