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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進(jìn)行介紹,開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
對于變頻器的維修,總的來說,首先要對其工作原理有較透徹的理解,對每個(gè)電路的性能指標(biāo)、工作點(diǎn)及器件的性能、好壞都能有一個(gè)正確的判別,才能真正地修好每一臺設(shè)...
從 20 世紀(jì) 80 年代 IGBT 被首次提出至今,IGBT 器件不斷朝著更低的正向?qū)▔航怠⒏〉拈_關(guān)損 耗方向發(fā)展;但是,鑒于 IGBT 器件的各...
2023-02-24 標(biāo)簽:電路IGBT半導(dǎo)體器件 3946 0
本文首先介紹了 IGBT 技術(shù)的研究現(xiàn)狀,并對 IGBT 不同結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)和電學(xué)特性做了簡要闡述;最 后列舉了一些最新的研究成果,并探討了 IGBT 的 ...
2023-02-24 標(biāo)簽:emiIGBT半導(dǎo)體器件 4956 0
納芯微全新推出光耦兼容的智能隔離單管驅(qū)動器NSi68515
納芯微單通道智能隔離式柵極驅(qū)動器NSi68515,專為驅(qū)動高達(dá)2121V直流母線電壓下的SiC MOSFET,IGBT而設(shè)計(jì)
IGBT功率半導(dǎo)體的主要引用領(lǐng)域有哪些?
可控硅:能夠被低功率的控制信號打開,但只能由主電路(功率電路)自身來關(guān)斷而不能被控制信號關(guān)斷,因此又被稱為半可控開關(guān)。
2023-02-23 標(biāo)簽:變壓器IGBT功率半導(dǎo)體 4361 0
當(dāng)出現(xiàn)短路時(shí)IGBT的Vce快速上升,過高的dVce/dt會通過米勒電容給IGBT門極充電,若不進(jìn)行保護(hù)會使得門極電壓過高而損壞IGBT,門極鉗位電路主...
當(dāng)驅(qū)動光耦的輸出能力無法滿足IGBT門極驅(qū)動電流的要求時(shí),要選擇使用推挽驅(qū)動。
2023-02-23 標(biāo)簽:三極管電路設(shè)計(jì)IGBT 2864 0
IGBT的低Vd(或低Id)范圍(在本例中是Vd到1V左右的范圍),在IGBT中是可忽略不計(jì)的范圍。這在高電壓大電流應(yīng)用中不會構(gòu)成問題,但當(dāng)用電設(shè)備的電...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管...
2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 7187 0
簡單講,是一個(gè)非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動...
為了更好了解IGBT,下面我們再來看看它的內(nèi)部結(jié)構(gòu):一般,IGBT 有三個(gè)端子:集電極、發(fā)射極和柵極,他們都是附有金屬層。但是,柵極端子上的金屬材料具有...
IGBT工作原理與MOSFET的關(guān)聯(lián)
IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高...
MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。主要優(yōu)點(diǎn)是熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大,缺點(diǎn)是擊穿電壓低,工作電流小。
IGBT功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅(qū)動功率小,控制電路簡單,開關(guān)損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件,它集雙...
使用數(shù)字萬用表對IGBT模塊進(jìn)行檢驗(yàn)
IGBT模塊是一種模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,由IGBT(絕緣柵雙極晶體管芯片)和續(xù)流二極管芯片(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋封裝而成。封裝后的IGBT模塊直...
2023-02-22 標(biāo)簽:二極管模塊數(shù)字萬用表 3836 0
IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動,利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功...
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