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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT功率半導(dǎo)體的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些?
IGBT模塊可以分為低壓(600V以下),中壓(600V-1200V)和壓(1200V-6700V),IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電...
2023-02-22 標(biāo)簽:變頻器IGBT功率半導(dǎo)體 1615 0
在功率器件中,IGBT模塊備受各行業(yè)青睞,甚至還入選了我國重大科技專項(xiàng)重點(diǎn)扶持項(xiàng)目。它兼具M(jìn)OSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)及BJT(雙極型三極管)兩類器...
2023-02-22 標(biāo)簽:模塊IGBT功率半導(dǎo)體 439 0
功率二極管作為最基本的電力電子器件,在電力電子系統(tǒng)中有著最廣泛的應(yīng)用,其主要結(jié)構(gòu)——PN結(jié)是其他功率半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。深刻理解二極管的工作特性,有助于學(xué)...
IGCT和IGBT之間的主要區(qū)別在于IGCT可以提供更高的效率和更低的損耗,而IGBT可以提供更高的功率密度和更低的噪聲。此外,IGCT可以提供更高的...
在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。
重新發(fā)現(xiàn)采用SIC FET的完美開關(guān)
有時(shí)有趣的是,事情如何改善或惡化取決于你的觀點(diǎn)。從利用電力的那一天起,就存在完美的開關(guān)——至少 18千沃爾特等世紀(jì)實(shí)驗(yàn)者是這么認(rèn)為的,他們用黃銅、木材和...
GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率...
2023-02-20 標(biāo)簽:IGBT直流電壓驅(qū)動(dòng)電流 1.4萬 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊是一種功率半導(dǎo)體器件,它是由多個(gè)IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動(dòng)電路、...
2023-02-20 標(biāo)簽:模塊IGBT功率半導(dǎo)體 6151 0
IGBT的結(jié)構(gòu)簡述 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用及基本特點(diǎn)
IGBT,中文名稱絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和...
IGBT-IPM是什么 IGBT-IPM的優(yōu)點(diǎn)
IGBT-IPM是一種集成電力模塊,它由一個(gè)IGBT(可控硅反激開關(guān))和一個(gè)IPM(智能功率模塊)組成。它可以用于控制電機(jī)、變頻器、變壓器等電力電子...
本文對(duì)IGBT芯片的電熱性能進(jìn)行了廣泛的研究,用于IGBT芯片中的3D封裝結(jié)構(gòu)。在過去的幾年里,半導(dǎo)體技術(shù)取得了長足的進(jìn)步,特別是在電力電子領(lǐng)域,在研究...
IGBT應(yīng)用中的換流方式 IGBT上下橋短路的原因
IGBT在應(yīng)用中的換流方式主要有三種,即半橋換流、全橋換流和三相換流。
igbt單管和igbt模塊的區(qū)別 igbt工作原理和作用
IGBT單管的封裝形式比較簡單,只有一個(gè)IGBT晶體管,一個(gè)反向恢復(fù)二極管和一個(gè)可選的溫度傳感器,而IGBT模塊的封裝形式比較復(fù)雜
氮化鎵功率器件可以分為三類:MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(晶閘管)和JFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。
伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IGBT怎么選擇?
伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器在生產(chǎn)應(yīng)用中是廣泛的,而且其系統(tǒng)響應(yīng)速度快,過載倍數(shù)高,小型化和高功率密度的趨勢(shì)更是對(duì)功率器件提出了更苛刻的要求。因此產(chǎn)品研發(fā)工程師在產(chǎn)品...
2023-02-19 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT伺服電機(jī) 2258 0
變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng)使用什么IGBT?
對(duì)于為何使用FHA40T65A的IGBT代換FGH40N60SFD型號(hào)參數(shù)應(yīng)用于變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng)呢?相信會(huì)有比較多的電子開發(fā)工程會(huì)存在疑問。
2023-02-19 標(biāo)簽:變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 1254 0
IGBT能替換FGH40N60SFD型號(hào)應(yīng)用于破壁機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng)嗎?
FHA40T65A是一款場(chǎng)N溝道溝槽柵截止型IGBT,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通過優(yōu)化工藝,來獲得極低的 V...
2023-02-19 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 1181 0
功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)...
2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 1769 0
IGBT的驅(qū)動(dòng)電路在它的應(yīng)用中有著特別重要的作用,IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵問題之一是驅(qū)動(dòng)電路的合理設(shè)計(jì)。由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨柵-射極驅(qū)動(dòng)電路的...
2023-02-16 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路 2870 0
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