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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2840個 瀏覽：249515次 帖子：479個

      igbt技術

      IGBT的使用與保護

      目前IGBT 的電流/電壓等級已達1800A/1200V，關斷時間已經縮短到40ns，工作頻率可達40kHz，擎住現象得到改善，安全工作區（SOA）擴大...

      2023-02-16 標簽：開關電源IGBT功率器件 2953 0

      以雙極性方式驅動單極柵極驅動器

      以雙極性方式驅動單極柵極驅動器

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      絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是一種三端功率半導體器件，常用作電子開關。憑借出色的開關特性、耐高溫性、輕量級和成本效益等特征，IGBT 電源模塊逐漸成...

      2023-02-16 標簽：IGBT晶體管功率模塊 576 0

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      功率半導體的類型有多種，其中最常用的是MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（可控硅晶體管）和SCR（可控整流器）。MOSFET是一種可...

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      隔離驅動IGBT的意義在于，它可以將低電壓的控制信號轉換為高電壓的控制信號，從而控制IGBT晶體管的開關，從而實現高效的電力控制。

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      碳化硅MOSFET和IGBT的區別與聯系

      碳化硅MOSFET技術是一種半導體技術，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數，以確定電子設備是否正常工作。碳化硅MOSFET技...

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      IGBT的柵極-發射極電壓VGE類似于MOSFET的柵極-源極電壓VGS，集電極電流IC類似于漏極電流ID，集電極-發射極電壓VCE類似于漏源電壓VDS。

      2023-02-14 標簽：三極管場效應管IGBT 8748 0

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      相對于LTCC和HTCC，TFC為一種后燒陶瓷基板。采用絲網印刷技術將金屬漿料涂覆在陶瓷基片表面，經過干燥、高溫燒結（700~800℃）后制備。金屬漿料...

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      • OBD
        OBD
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