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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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?什么是功率半導(dǎo)體?功率半導(dǎo)體包括兩個(gè)部分:功率器件和功率IC。功率器件是功率半導(dǎo)體分立器件的分支,而功率IC則是將功率半導(dǎo)體分立器件與各種功能的外圍電...
IGBT自適應(yīng)平衡控制系統(tǒng)設(shè)計(jì),IGBT串聯(lián)平衡穩(wěn)壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)
目前柔性直流輸電技術(shù)正朝著更高電壓、更大容量方向發(fā)展,由于絕緣柵雙極晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT...
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(1)
在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中,特別強(qiáng)調(diào)了這個(gè)模型所存在的一個(gè)短板,即所有電流都通過(guò)MOS溝道,實(shí)際上只有電子電流通過(guò)MOS溝道,而空穴電流...
FHA40T65A是一款場(chǎng)N溝道溝槽柵截止型IGBT,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通過(guò)優(yōu)化工藝,來(lái)獲得極低的 V...
我們都知道,電源設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)當(dāng)然算是個(gè)技術(shù)活兒,也是累活兒,工作繁雜挑戰(zhàn)諸多。電源設(shè)計(jì)工程師根據(jù)任務(wù)書(shū)選擇合適的器件和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)符合功能的原型版,電源設(shè)...
2020-10-06 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)IGBTEMC 1490 0
開(kāi)關(guān)電源共模電流模型可以用下面三個(gè)回路來(lái)簡(jiǎn)單說(shuō)明。在開(kāi)關(guān)管共模電壓的驅(qū)動(dòng)下,形成輸入回路、輸出回路和輸入-輸出大回路。
2023-09-11 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源IGBTPCB走線 1490 0
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
2023-03-02 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 1486 0
MOS管對(duì)于光伏行業(yè)的應(yīng)用簡(jiǎn)述
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)與IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)在光伏行業(yè)中都是非常重要的分立器件。
2023-08-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管光伏 1484 0
以雙極性方式驅(qū)動(dòng)單極柵極驅(qū)動(dòng)器
當(dāng)驅(qū)動(dòng)中高功率MOSFET和IGBT時(shí),當(dāng)功率器件兩端出現(xiàn)高電壓變化率時(shí),存在米勒效應(yīng)引起的導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)。電流通過(guò)柵極至漏極或柵極至集電極電容注入功率器件的...
2023-02-01 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1483 0
承受現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器絕緣能力的最大功率限制
對(duì)于IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器電氣過(guò)應(yīng)力測(cè)試(EOS測(cè)試),設(shè)置了一個(gè)非常接近真實(shí)條件的電路。該電路包括適合功率范圍為5 kW至20 kW的逆變器的電...
2022-12-22 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1466 0
汽車(chē)IGBT模塊功率循環(huán)試驗(yàn)設(shè)計(jì)
服役狀態(tài)下的 IGBT 模塊處于亞穩(wěn)定狀態(tài),其材料和結(jié)構(gòu)會(huì)隨著時(shí)間的推移發(fā)生狀態(tài)改變或退化。IGBT 模塊在整個(gè)壽命周期內(nèi),會(huì)經(jīng)歷數(shù)萬(wàn)至數(shù)百萬(wàn)次的溫度循...
變頻器風(fēng)扇不轉(zhuǎn)會(huì)不會(huì)影響變頻器?
嚴(yán)重影響變頻器的正常運(yùn)行。逆變器的核心器件都是IGBT功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件。
2024-01-11 標(biāo)簽:變頻器IGBT功率半導(dǎo)體 1460 0
前幾天,一臺(tái)ACS800變頻器剛開(kāi)機(jī)就出現(xiàn)了電流與頻率波動(dòng)的情況,而且波動(dòng)的幅度比較大,完全超出了因負(fù)載變化而引起的波動(dòng)幅值,第一感覺(jué)就是變頻器出了問(wèn)題...
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對(duì)SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說(shuō)明。如圖所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFE...
功率模塊(Power Module)和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)在電力電子領(lǐng)域都...
逆變器技術(shù)對(duì)新能源汽車(chē)市場(chǎng)增長(zhǎng)的重要性
在電動(dòng)汽車(chē)的電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,逆變器起著至關(guān)重要的作用 。它接收來(lái)自電池的直流電壓作為輸 入,然后將其反轉(zhuǎn)為交流輸出,從而驅(qū)動(dòng)牽引電機(jī)為車(chē)輛提供動(dòng)力 。
2023-11-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)新能源汽車(chē)充電器 1445 0
如何利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置?
利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路,改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置,即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管(下文簡(jiǎn)稱(chēng)FRD)的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。
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