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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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為什么要找替代的IGBT?因為面對世界的不穩定因素,國內如果有好的電子元器件替代的話,為什么不選擇呢?這樣才能更好保障自己的產品穩定性。
畢竟選擇一款650V、40A的IGBT,還能替代仙童FGH40N60SFD型號參數的國產IGBT還是值得考慮的。
IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離,具...
通過制動單元外接制動電阻,該方式配合母線電壓檢測。當電機迅速停機時,電機繞組上的能量會通過逆變側的反并聯二極管倒灌入母線電容,此時母線電壓升高;當高于設...
電機的結構,主要是轉子和定子。轉子是線圈,就是感應電機;轉子是永磁體,就是永磁同步電機。
FHA40T65A是一款場N溝道溝槽柵截止型IGBT,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通過優化工藝,來獲得極低的 V...
IGBT的開關過程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關斷就相當于對CGE進行充電與放電。假設IGB...
相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯二極管。 逆變器效率主要與功率器件的導通損耗和開關損耗相關,而SiC逆 變器在這兩點均...
為解決上述問題,本文創新性地提出雙界面散熱結構的熱測試方法,對傳統雙界面法進行優化,分別采用兩種不同的導熱界面材料 A 與 B 對結構函數曲線進行分離。
IGBT是能源變換與傳輸的核心器件,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰略性新興產業,在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。
本文以單相橋式逆變電路為例簡單說明一下逆變電路工作原理。 S1~S4是橋式電路的4個臂,由電子器件晶閘管或IGBT及輔助電路組成。
高效節能電機工作原理: 采用新型電機設計、新工藝及新材料,通過降低電磁能、熱能和機械能的損耗,提高輸出效率。
為什么IGBT和碳中和形成相關關系,我認為清潔能源的大規模推廣,對IGBT提出更高的需求,最典型就是光伏逆變器的應用,這里面需要大量高壓,超高壓的IGB...
2022-12-27 標簽:IGBT 2094 0
承受現代IGBT/MOSFET柵極驅動器絕緣能力的最大功率限制
對于IGBT/MOSFET驅動器電氣過應力測試(EOS測試),設置了一個非常接近真實條件的電路。該電路包括適合功率范圍為5 kW至20 kW的逆變器的電...
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