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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2837個 瀏覽：249484次 帖子：479個

      igbt技術

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      2024-08-07 標簽：場效應管IGBT功率管 1295 0

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      2023-06-25 標簽：永磁同步電機逆變器仿真器 1291 0

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      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）驅動波形是電力電子技術中非常重要的一個方面，它直接影響到IGBT的開關速度、損耗、可靠性等性能指標。在本文中，我們將介紹IG...

      2024-07-25 標簽：驅動IGBT晶體管 1284 0

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      2023-11-29 標簽：IGBTMOS等效電路 1278 0

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