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      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2840個 瀏覽：249508次 帖子：479個

      igbt技術

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      2022-11-08 標簽：IGBT自舉電路 1.6萬 0

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      在車載鏡頭領域，舜宇光學（02382.HK）龍頭地位穩固，其車載鏡頭出貨量已連續9年穩居世界第一，2020年市占率32%，與第二名份額拉開較大差距。

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      2022-10-28 標簽：MOSFETIGBT晶體管 1.4萬 0

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      IGBT失效場合：來自系統內部，如電力系統分布的雜散電感、電機感應電動勢、負載突變都會引起過電壓和過電流；來自系統外部，如電網波動、電力線感應、浪涌等。...

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