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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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西門子變頻器主要分為通用型、工程型和專用型三類,不斷推出新產(chǎn)品,其產(chǎn)品能夠滿足不同用戶的特殊要求。
用觀“燈”維修電磁爐的簡易方法參見下圖,拆開多功能插座,將連在插片上的硬線拆掉,再將白熾燈(俗稱燈泡)燈座的兩根弓f線分別接至斷開的兩端,然后安裝在電工...
伺服系統(tǒng)破局點:如何實現(xiàn)工業(yè)機器人的小型化
磁電式編碼器使用磁場感應元器件代替碼盤,因此可以在提高精度的同時保證體積相對較小。但是磁電編碼器價格比較昂貴,目前僅在精度要求、工況要求相對較高的領(lǐng)域適...
電流傳感器檢測主要采用閉環(huán)霍爾電流傳感器進行采樣,受限于霍爾傳感器的頻帶寬度及控制采樣電路的延遲,實時性可能還有待提高;di/dt檢測主要是依據(jù)IGBT...
用于大功率模塊升壓臺面結(jié)構(gòu)中的金屬化陶瓷基板
隨著可用的寬帶隙半導體不斷在提高其工作電壓,其封裝中使用的電絕緣受到了越來越多的限制。在更準確地來說,用于要求苛刻的應用的陶瓷基板代表了一個關(guān)鍵的多功能...
VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長電動車續(xù)航能力
因續(xù)航能力有限而導致的“里程焦慮”是許多消費者采用電動車的一個障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過程的效率是延長車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關(guān)鍵。能效至關(guān)...
光伏逆變器是連接太陽能光伏電池板和電網(wǎng)之間的電力電子設(shè)備,主要功能是將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電通過功率模塊轉(zhuǎn)換成可以并網(wǎng)的交流電,是太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)的...
電磁爐是應用電磁感應加熱原理,利用電流通過線圈產(chǎn)生磁場,該磁場的磁力線通過鐵質(zhì)鍋底部的磁條形成閉合回路時會產(chǎn)生無數(shù)小渦流,使鐵質(zhì)鍋體的鐵分子高速動動...
IGBT關(guān)斷時,集電極電流Ic迅速減小到0,急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感,產(chǎn)生感應電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上,使IGBT承受高于平常的電壓...
在我們實際的應用當中最流行和最常見的電子器件就是常見的雙極結(jié)晶體管BJT和MOS管。雖然BJT和MOS管是最流行最常見的元器件,但是在一些相對較高電流的...
IGBT關(guān)斷時,集電極電流Ic迅速減小到0,急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感,產(chǎn)生感應電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上,使IGBT承受高于平常的電壓...
IGBT行業(yè)需求增長: IGBT廣泛應用于工業(yè)、汽車、通信及消費電子領(lǐng)域,主要電壓應用范圍在600V到1200V之間。由于經(jīng)濟的飛速發(fā)展,我國能源需求大...
氣候變化和社會對環(huán)境問題日益敏感,需要為化石燃料動力汽車開發(fā)技術(shù)解決方案。逐步減少排放的監(jiān)管要求要求設(shè)計具有較低體積、較高發(fā)動機轉(zhuǎn)速以及能夠在較不豐富的...
我們都知道,IGBT發(fā)生短路時,需要在10us或者更短的時間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
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