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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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變頻器的參數(shù)設定在調(diào)試過程中是十分重要的。由于參數(shù)設定不當,不能滿足生產(chǎn)的需要,導致起動、制動的失敗,或工作時常跳閘,嚴重時會燒毀功率模塊IGBT或整流...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應用于電力電子領域的功率半導體器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)和BJT(雙極型晶體管)的...
面對高度競爭化的混合動力車和電動汽車(HEV/EV)市場,動力集成研發(fā)工程師正在向更高的系統(tǒng)效率、穩(wěn)定性和可靠性挑戰(zhàn)。 功率逆變器 在動力集成系統(tǒng)中至關...
基于進一步提升電驅(qū)動總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設計了一款碳化硅三合一電驅(qū)動總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動電機的結(jié)構(gòu)設計方案,并詳細闡述了碳化硅三...
續(xù)航以及補能問題一直是困擾電動汽車發(fā)展的因素,當前主流電動汽車的電氣系統(tǒng)電壓范圍在230V-480V,在相關法規(guī)政策明確限定充電樁充電電流的情況下,電動...
陶瓷覆基板是影響模塊長期使用的關鍵部分之一,IGBT模塊封裝中所產(chǎn)生的熱量主要是經(jīng)陶瓷覆銅板傳到散熱板最終傳導出去。陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆銅板性能的...
IR Gen8 1200V IGBT技術(shù)平臺為工業(yè)應用提升效率及耐用性
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術(shù)平臺。全新第八代 (Gen8...
為什么使用 S 參數(shù)進行功率模塊優(yōu)化更有優(yōu)勢?
? 功率模塊是一種采用絕緣柵雙極性晶體管 (IGBT) 或金屬氧化物半導體場效應晶體管作為開關元件的高功率開關電路,廣泛應用于電動汽車、可再生能源、光伏...
功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動測試與計算新方案
柵極參數(shù)設計是通過理論計算或建模仿真,模擬器件的開關狀態(tài),掌握其動態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等,其核心還是理論計算。
通過驅(qū)動器源極引腳改善開關損耗-傳統(tǒng)的MOSFET驅(qū)動方法
MOSFET和IGBT等電源開關器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關器件產(chǎn)生的開關損耗和傳導損耗,但不同的應用其降低損耗的...
計算IGBT模塊死區(qū)時間 1 引言 在現(xiàn)代工業(yè)中,IGBT器件在電壓源逆變器中的使用越來越廣泛。為了確保可靠地使用IGBT,必須避免出現(xiàn)橋臂直通現(xiàn)象。橋...
2024-11-08 標簽:IGBT 1123 0
igbt柵極驅(qū)動的參數(shù)要求和驅(qū)動條件
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導體器件,廣泛應用于電力電子領域。IGBT柵極驅(qū)動是IGBT正常工作的關鍵部分,其參數(shù)要求和驅(qū)動條件對IGBT的...
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