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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2840個 瀏覽：249505次 帖子：479個

      igbt技術

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      雙脈沖測試的基本原理、基本實驗以及波形

      一般，我們是通過閱讀器件廠商提供的datasheet來了解一個器件的參數特性，但是datasheet中所描述的參數是在特定的外部參數條件測試得來的，因此...

      2022-06-17 標簽：IGBT波形脈沖測試 2.9萬 3

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