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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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igbt模塊散熱基板的作用及種類 車規(guī)級IGBT功率模塊散熱方式
間接液冷散熱采用的是平底散熱基板,基板下面涂一層導(dǎo)熱硅脂,緊貼在液冷板上,液冷板內(nèi)通冷卻液,散熱路徑為芯片-DBC基板-平底散熱基板-導(dǎo)熱硅脂-液冷板-...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的開關(guān)過程是其作為電力電子器件核心功能的重要組成部分,直接決定了電力變換系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。以下是對IGBT開關(guān)過...
這種雙面冷卻可實現(xiàn)更好的熱性能,從而實現(xiàn)更高的功率密度和效率。DSC 電源模塊通常在模塊的每一側(cè)使用銅板進行冷卻,它們還可能具有額外的功能,例如溫度感應(yīng)...
單相組串式逆變器在家用市場中的發(fā)展越發(fā)側(cè)重在互聯(lián)網(wǎng)連接隨時隨地監(jiān)控實的時代,因此模塊級對于電源優(yōu)化器的需求是有顯著增長的勢頭。
2023-05-17 標簽:逆變器IGBT快恢復(fù)二極管 993 0
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(3)
在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中,我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2(見上一節(jié)插圖), 因為PIN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)
請教下THT通孔IGBT器件焊接起始面和焊接終止面相反焊接是否有影響
各位老師,請教下THT通孔 IGBT器件,焊接起始面和焊接終止面焊盤尺寸形狀完全相同,因焊接起始面有元件干涉,改為從焊接終止面開始焊接,通孔爬錫高度10...
IGBT行業(yè)需求增長: IGBT廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車、通信及消費電子領(lǐng)域,主要電壓應(yīng)用范圍在600V到1200V之間。由于經(jīng)濟的飛速發(fā)展,我國能源需求大...
2022-08-08 標簽:IGBT功率半導(dǎo)體 989 0
始于19世紀初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料,其中較為矚目的莫過于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。
SKiN技術(shù)由2011年開始使用,包括將芯片燒結(jié)到DCB基板,將芯片的頂部側(cè)燒結(jié)到柔性電路板,以及將基板燒結(jié)到針翅片散熱器。該技術(shù)減小了模塊的體積和重量...
安建采用7層光罩工藝的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圓
依托于光刻機的光罩(Litho)工藝是半導(dǎo)體芯片加工流程中的核心工藝,光罩的層數(shù)是影響半導(dǎo)體芯片工藝復(fù)雜度及加工成本的關(guān)鍵指標。當代溝槽-場截止型IGB...
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種電力電子設(shè)備,廣泛用于各種電力轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用中。IGBT本身是一種半導(dǎo)體器件,它可以在電路中起到開關(guān)的作用,控制電流的...
IGBT是由MOSFET和GTR技術(shù)結(jié)合而成的復(fù)合型開關(guān)器件,是通過在功率MOSFET的漏極上追加p+層而構(gòu)成的,性能上也是結(jié)合了MOSFET和雙極型功...
IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)(2)
IGBT中存在如圖所示的兩個寄生BJT,BJT_1為NPN型,BJT_2為PNP型,我們來看看這兩個寄生BJT的電流增益有多大。
加速線上工具的功率級設(shè)計,助力IGBT特性分析功能提升
為讓電子產(chǎn)品設(shè)計人員在最短時間內(nèi),完成新一代絕緣閘雙極電晶體(IGBT)元件特性評估作業(yè),功率半導(dǎo)體業(yè)者研發(fā)出更精密的線上設(shè)計工具,不僅能提供溫度和頻...
2013-08-15 標簽:IGBT 969 0
雖然將典型 400 V 電池的電壓加倍可為 EV 帶來巨大好處,但對于依賴硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆變器來說,在更高電壓下的...
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