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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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MOS管和IGBT管作為現代電子設備使用頻率較高的新型電子器件,因此在電子電路中常常碰到也習以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態參數相似的很,...
IGBT功率模塊是逆變器的核心功率器件。逆變器用于驅動電機,為汽車運行提供動力。當電驅動系統工作時,逆變器從電池組獲取直流電,并轉換成交流電來驅動電機。...
會嚴重影響變頻器的正常工作。變頻器內部的核心器件都是(IGBT)電力半導體開關元器件,正常工作時,它們都會產生大量熱能,如果沒有風扇強制散熱,它的感溫頭...
IGBT就是一個開關,非通即斷,如何控制他的通還是斷,就是靠的是柵源極的電壓,當柵源極加+12V(大于6V,一般取12V到15V)時IGBT導通,柵源...
2017-06-05 標簽:igbt 1.6萬 0
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導體器件,在電力電子領域應用廣泛。在IGBT的開關過程中,上下橋臂的關斷尖峰現象是影響器件性能和可靠性的重要因素。
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