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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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全部技術資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) IGBT選型

igbt技術

IGBT的結構和應用

雖然有些人可能將 IGBT 視為“傳統(tǒng)”技術，但它在高功率應用中仍然發(fā)揮著重要作用。

2023-09-11 標簽：半導體 IGBT SiC 926 0

功率MOSFET - 48V系統(tǒng)中的重要組件

在討論了48伏特架構（“48伏特輕度混合動力系統(tǒng)的出現(xiàn)”）并描述了一些主要應用（“48伏特起動發(fā)電機”）后，我們需要深入研究這些新系統(tǒng)的電氣要求。在這篇...

2023-02-13 標簽：MOSFET IGBT 發(fā)電機 923 0

如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢？

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2023-09-11 標簽：MOSFET IGBT 寄生電容 923 0

電機高速為什么要弱磁控制器？

永磁同步電機是我國新能源汽車動力裝置的核心驅動裝置，大家都知道在低速的時候永磁同步電機采用最大扭矩電流比控制，也就是給定一個扭矩，利用最小的合成電流來實...

2023-11-15 標簽：永磁同步電機電機 IGBT 921 0

新能源汽車 IGBT 功率器件高低溫沖擊測試

車用 IGBT 模塊對產(chǎn)品性能和質量的要求要明顯高于消費和工控領域, 需要通過嚴格的車規(guī)認證, 汽車 IGBT 模塊測試標準主要參照 AEC-Q101 ...

2023-12-01 標簽：新能源汽車測試 IGBT 920 0

新能源汽車核心部件IGBT模塊想要過AECQ101認證，需要要做哪些測試？

電驅系統(tǒng)和IGBT模塊的作用要了解IGBT模塊，就要先了解新能源汽車的電驅系統(tǒng)，先用一句話概括電驅系統(tǒng)如何工作：在駕駛新能源汽車時，電機控制器把動力電...

2023-06-30 標簽：新能源汽車 IGBT 920 0

MOS管和IGBT的結構區(qū)別

MOS管和IGBT是現(xiàn)代電子技術中兩種非常重要的半導體器件，它們在電力電子、能量轉換、汽車電子等多個領域有著廣泛的應用。盡管它們都是半導體開關器件，但它...

2024-06-09 標簽：半導體 MOS管 IGBT 918 0

如何提高4.5 kV IGBT模塊的功率密度

未來對電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進一步提高。輸出功率應適應不同終端客戶的不同項目。同時，變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新...

2023-10-17 標簽：IGBT 三菱電機功率模塊 916 0

功率器件的開關波形分析

功率器件，特別是如功率MOSFET和IGBT等，在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關重要的角色。它們的開關波形分析對于理解器件性能、優(yōu)化系統(tǒng)設計以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定運...

2024-07-19 標簽：MOSFET IGBT 功率器件 913 0

功率半導體冷知識：IGBT短路結溫和次數(shù)

2023-12-15 標簽：IGBT 浪涌功率半導體 913 0

淺談新能源汽車電機控制器的MOSFET B2M065120H應用

基本半導體自2017年開始布局車用碳化硅器件研發(fā)和生產(chǎn)，目前已掌握碳化硅芯片設計、晶圓制造、模塊封裝、驅動應用等核心技術，申請兩百余項發(fā)明專利，產(chǎn)品性能...

2023-06-01 標簽：新能源汽車 IGBT 電機控制器 912 0

第20講：DIPIPM?市場失效分析（2）

在了解了DIPIPM失效分析的流程后是不是會很容易地找到市場失效的原因了呢？答案是否定的。不管是對收集到的市場失效信息還是對故障解析報告的解讀、分析都需...

2023-12-27 標簽：繼電器 IGBT 電磁干擾 911 0

功率MOS電路原理解析

功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系...

2023-02-17 標簽：二極管 MOSFET IGBT 911 0

什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌

MOSFET和IGBT等功率半導體作為開關元件已被廣泛應用于各種電源應用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來的應用速度與日俱增，它的工作速度...

2023-02-28 標簽：電源 MOSFET IGBT 908 0

高壓電源轉換的電源效率？影響高壓電源轉換效率的主要因素

高壓電源轉換的電源效率是指在電源將高壓輸入轉換為所需的輸出電壓時，能夠將多少輸入功率轉化為有用的輸出功率的比例。

2023-09-04 標簽：MOSFET 開關電源電源轉換器 901 0

柵極鉗位TVS二極管對IGBT雙脈沖開關特性的影響

階段1(0—t1)，在t=0時刻，開關S動作，lGBT開始關斷，柵極通過RG開始放電，VGE下降。這導致通過溝道注入到基區(qū)的電子數(shù)量變少，但是由于感性負...

2023-07-14 標簽：二極管電感器 TVS二極管 900 0

SiC MOSFET提高工業(yè)驅動效率

工業(yè)領域的電力應用通?；趶姶蟮碾妱訖C，用于連續(xù)運行的風扇、泵、伺服驅動器、壓縮機、縫紉機和冰箱。工業(yè)領域最常見的配置是三相電動機，由適當?shù)幕谀孀兤鞯?..

2022-07-26 標簽：MOSFET IGBT SiC 900 0

600V/15A三相全橋驅動智能功率模塊-DPM15C60DG1概述

DPM15C60 是一款三相 IGBT 逆變器模塊，內(nèi)置 IGBT 及其柵驅動芯片，可用于無刷直流電機、永磁無刷電機等的驅動。

2024-05-22 標簽：逆變器 IGBT 電磁干擾 899 0

N+緩沖層結構對MCT瞬態(tài)特性（TLP）的影響

隨著功率MOSFET和IGBT的出現(xiàn)，雙極型晶體管的發(fā)展受到一定影響。但在更高電壓、更大電流的應用中，隨著外延層（或單晶）厚度、電阻率的的增加，MOSF...

2023-07-05 標簽：MOSFET 晶閘管 IGBT 899 0

IGBT的物理結構模型—PIN&MOS模型（3）

這里需要注意的是，載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零，反之亦然。對于PIN1結構，因為陽極和陰極的多子濃度遠大于少子濃度，所以可以忽略少子電流；

2023-12-01 標簽：IGBT MOS PN結 897 0

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