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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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IGBT、MCU、以及SIC會是接下來新能源汽車智能化比較長期的需求點,根據特斯拉Model3的車型用量來看,單車使用IGBT是84顆,或者48顆Sic...
由于變頻器(VFD)輸出電壓不平衡的特點是電機抖動和轉速不穩定。一般來說,沒有經驗很難確定哪個驅動器有問題。此時可啟動VFD的2hz,用萬用表DC電壓范...
來幾年將看到電子設備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產品和半導體滲透到新的行業和產品,設計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
IGBT模塊是由不同的材料層構成,如金屬,陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內部用來改善器件相關熱性能的硅膠。
柵極驅動中最關鍵的時刻是IGBT的開啟和關閉。我們的目標是快速執行此功能,在IGBT開啟時噪音和振鈴最小。不過,上升/下降時間過快可能會導致不必要的振鈴...
相對于LTCC和HTCC,TFC為一種后燒陶瓷基板。采用絲網印刷技術將金屬漿料涂覆在陶瓷基片表面,經過干燥、高溫燒結(700~800℃)后制備。金屬漿料...
為您的設計選擇最佳選項:碳化硅MOSFET相對于IGBT的優勢!
GBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)用于許多不同類型的電源應用,包括可再生能源、航空航天、汽車和運輸、測試和測量以及...
低壓的光伏經過前年的低谷期,最近兩三年都是處于上升的階段,包括很多光伏逆變的客戶發展還是比較快,海外市場會多一些,包括這幾年崛起的終端客戶,比如德業和錦浪。
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