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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

RGS系列:支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT

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ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號,傳導損耗非常低,非常有助于應(yīng)用的...

2023-02-09 標簽:IGBT 814 0

igbt導通后,流過它的電流由什么決定

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)導通后,流過它的電流由多個因素共同決定,主要包括以下幾...

2024-09-19 標簽:電流IGBT晶體管 813 0

金升陽IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動電源產(chǎn)品優(yōu)勢

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基于國內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢,半導體應(yīng)用市場持續(xù)擴大;對于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè),IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛,而驅(qū)動電源作為專為IG...

2023-12-01 標簽:MOSFETIGBTSiC 811 0

IGBT驅(qū)動電路的隔離方式與作用

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  驅(qū)動電路要求   o提供適當?shù)恼聪螂妷海笽GBT能可靠地開通和關(guān)斷○提供IGBT適當?shù)拈_關(guān)時間   oIGBT開通后,提供足夠的電壓...

2024-03-27 標簽:IGBT驅(qū)動電路脈沖變壓器 809 0

低電感ANPC拓撲結(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù),滿足光伏應(yīng)用的需求

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2023-11-29 標簽:二極管逆變器光伏 809 0

碳化硅的發(fā)展趨勢及其在儲能系統(tǒng)(ESS)中的應(yīng)用介紹

與傳統(tǒng)的硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其他技術(shù)相比,碳化硅(SiC)技術(shù)具有更多優(yōu)勢

2023-09-12 標簽:電動汽車IGBT晶體管 806 0

IGBT功率半導體的主要引用領(lǐng)域有哪些

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2023-02-02 標簽:變頻器計算機IGBT 805 0

逆變器IPM/IGBT模塊容量的選擇

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以IGBT模塊應(yīng)用三相逆變電路為例。

2024-07-15 標簽:逆變器IGBTIPM 804 0

安森美IGBT常規(guī)進行的可靠性測試方案

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用于確定漏電流的穩(wěn)定性,這與IGBT的場畸變有關(guān)。HTRB 通過高溫反向偏置測試來增強故障機制,因此是器件質(zhì)量和可靠性的良好指標,也可以驗證過程控制的有效性。

2024-01-17 標簽:安森美IGBT偏置電壓 804 0

IGBT中的PIN結(jié)構(gòu)分析(2)

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上一章我們講到了載流子濃度與電流的關(guān)系,并且知道了載流子在I區(qū)的濃度分布是非對稱的。

2023-11-28 標簽:IGBTPIN載流子 804 0

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電源芯片是指對電源進行變換或者控制,為負載正常工作提供合適的電壓或者電流的集成電路芯片

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本文介紹了硬件工程師入門的基礎(chǔ)元器件,包括二極管、三極管、MOS管和IGBT。對比了肖特基二極管與硅二極管的特性,探討了三極管作為開關(guān)的應(yīng)用和電阻選擇方...

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碳化硅功率器件在充電樁中的應(yīng)用有哪些?

在半導體材料領(lǐng)域,碳化硅與氮化鎵無疑是當前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。

2023-04-06 標簽:半導體IGBT電機控制器 797 0

igbt柵極電阻太小會怎么樣

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件,其性能和可靠性在很大程度上取決于柵極電阻的選擇。如果IGBT的柵極電阻過小,可能會對...

2024-07-25 標簽:IGBT參數(shù)功率器件 795 0

IGBT散熱器的材料選擇

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率電子器件,廣泛應(yīng)用于電機驅(qū)動、電源轉(zhuǎn)換、太陽能逆變器等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中,IGBT需要承受高電壓、大電流和高頻率的...

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IGBT模塊失效機理的兩大類分析

變壓器結(jié)電容相對于電壓變化率過大,導致的耦合電流干擾問題。這個問題導致的后果是,輸出邏輯錯誤,控制電路被干擾,電路失效等。

2023-12-22 標簽:變壓器智能電網(wǎng)IGBT 792 0

Microchip推出一款全新的綜合性混合動力驅(qū)動模塊

設(shè)計多電飛機(MEA)的飛機制造商希望將飛行控制系統(tǒng)從液壓轉(zhuǎn)換為電動,以減輕重量和設(shè)計復(fù)雜性。

2023-02-02 標簽:MOSFET控制系統(tǒng)IGBT 789 0

90V三相柵極驅(qū)動芯片-PT5619

90V三相柵極驅(qū)動芯片-PT5619

PT5619 在 同一顆芯片中同時集成了三個 90V 半橋柵極驅(qū)動器 ,特別適合于 三相電機應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動 。

2023-07-11 標簽:MOSFETIGBT三相電機 789 0

全SiC功率模塊的開關(guān)損耗

全SiC功率模塊的開關(guān)損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進行介紹,開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。

2023-02-24 標簽:MOSFETIGBTSiC 784 0

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  • TMS320F28335
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    靜電防護
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計 溫度傳感器 壓力傳感器
電機驅(qū)動器 步進驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進電機 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護電路 看門狗
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