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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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RGS系列:支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT
ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號,傳導損耗非常低,非常有助于應(yīng)用的...
2023-02-09 標簽:IGBT 814 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)導通后,流過它的電流由多個因素共同決定,主要包括以下幾...
金升陽IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動電源產(chǎn)品優(yōu)勢
基于國內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢,半導體應(yīng)用市場持續(xù)擴大;對于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè),IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛,而驅(qū)動電源作為專為IG...
低電感ANPC拓撲結(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù),滿足光伏應(yīng)用的需求
低電感ANPC拓撲結(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù),滿足光伏應(yīng)用的需求
碳化硅的發(fā)展趨勢及其在儲能系統(tǒng)(ESS)中的應(yīng)用介紹
與傳統(tǒng)的硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其他技術(shù)相比,碳化硅(SiC)技術(shù)具有更多優(yōu)勢
功率半導體器件也被稱作電力電子器件或功率器件,它是具有包括變頻、變壓、變流、功率管理等功率管理能力的一種特殊開關(guān)。在計算機、通信、消費電子、新能源、汽車...
在半導體材料領(lǐng)域,碳化硅與氮化鎵無疑是當前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件,其性能和可靠性在很大程度上取決于柵極電阻的選擇。如果IGBT的柵極電阻過小,可能會對...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率電子器件,廣泛應(yīng)用于電機驅(qū)動、電源轉(zhuǎn)換、太陽能逆變器等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中,IGBT需要承受高電壓、大電流和高頻率的...
變壓器結(jié)電容相對于電壓變化率過大,導致的耦合電流干擾問題。這個問題導致的后果是,輸出邏輯錯誤,控制電路被干擾,電路失效等。
2023-12-22 標簽:變壓器智能電網(wǎng)IGBT 792 0
Microchip推出一款全新的綜合性混合動力驅(qū)動模塊
設(shè)計多電飛機(MEA)的飛機制造商希望將飛行控制系統(tǒng)從液壓轉(zhuǎn)換為電動,以減輕重量和設(shè)計復(fù)雜性。
2023-02-02 標簽:MOSFET控制系統(tǒng)IGBT 789 0
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